基本介紹
- 中文名:化學摻雜
- 類別:化學
化學摻雜是結構型導電聚合物摻雜的主要手段之一。其過程是利用氧 化還原試劑直接與聚合物進行氧化還原反應,改變聚合物的 簡電狀態。1在最簡單情況下,中性氧化劑(或者還原劑)直接 與聚合物進行有電子轉移過程的氧化(或者還原)反...
摻雜原子或離子的濃度對材料性質影響很大,需要在實驗中嚴格控制。不同的體系和化合物所採用的摻雜方法也不同。半導體材料多用氣相沉積法或離子束濺射法摻雜。發光材料則多用化學方法,並在一定溫度下灼燒,使晶體中的摻雜離子均勻分布。
化學氣相摻雜是指在化學氣相沉積((CVD)薄膜的同時通過氣相將雜質元素摻入薄膜的工藝。許多薄膜要求適當摻入一定量的雜質以達到改性的目的,如半導體薄膜在摻入施主元素或受主元素後可分別成為n型和P型半導體。簡介 化學氣相摻雜是指在化學...
施主和受主的摻雜濃度可在一個很大的範圍內變化,使得半導體的電導率可從10−10/歐姆·厘米變化至102/歐姆·厘米。另一類雜質是深能級雜質,它們是一類與晶體本底原子化學性質相差較大的雜質原子,如相差2個價電子的雜質原子,周期表...
《鐵基鐵磁超導體的化學摻雜與物性研究》是依託浙江大學,由曹光旱擔任項目負責人的面上項目。項目摘要 超導與鐵磁是凝聚態系統中兩種截然不同、相互對立的多體合作現象。兩者共存於同一種材料(稱之為鐵磁超導體)可能產生多種新奇...
《以多芳基吡咯為基元構築化學摻雜型石墨烯》是依託北京理工大學,由佟斌擔任項目負責人的面上項目。項目摘要 石墨烯因其二維結構賦予其特殊的性能,是納米材料新的研究領域。如果能實現對石墨烯有效、可控摻雜,將提高石墨烯的半導體/導體...
摻雜聚苯硫醚是化學化工名詞。摻雜聚苯硫醚dated Ewlyphcnyl}ne sulfide過氧化劑或還原劑摻雜處理後的聚苯硫醚。對位和問位連線的聚苯硫醚經五氧化_砷氧化摻雜後電導率從10 '}'Slcm以下1_升到0.1--l}Icm之間。在摻雜過程中有分子內...
《基於電化學摻雜聚合物發光場效應管的研究》是依託北京交通大學,由滕楓擔任項目負責人的面上項目。項目摘要 有機發光場效應電晶體在平板顯示領域有明確的套用背景,可實現顯示像素與驅動單元的集成。此外,該器件也被業內認為最可能用來...
②離子注入的雜質分布準直性好(即橫向擴展小),有利於獲得精確的淺條摻雜,可提高電路的集成度和成品率。③離子注入可實現大面積均勻摻雜並有高的濃度。④離子注入不受化學結合力、擴散係數和固溶度等的限制,能在任意所需的溫度下進行...
摻雜銅和氯的硫化鋅鎘是一種化學物質。英文名 Cadmiumsulfide(CdS),solidsoln.withzincsulfide,copperchloride-doped 其他名稱 CADMIUMZINCSULFIDE((CD,ZN)S),COPPERCHLORIDE-DOPED;CADMIUMZINCSULFIDE,COPPERANDCHLORINEDOPED;
複合摻雜型導電高分子是一個化學化工術語。簡介 指使用氧化或者還原性物質直接加入被摻雜物質中去,與其發生氧化或還原反應.從而改變其荷電狀態,提高其導電能力的導電聚合物。合成 由十導電體是止兩種以上物質複合而成的。所以稱為複合...
基於我國稀土資源優勢和環境治理壓力,結合申請人的研究積累,本項目擬以CeO2為代表,開展用於催化領域不同形貌納米摻雜氧化物的合成與催化特性研究。從晶體學角度考慮,要想穩定CeO2離子晶體結構和化學鍵,需其陽、陰離子半徑比r(Ce4+)/...
摻雜鎳和銀的硫化鋅鎘 摻雜鎳和銀的硫化鋅鎘是一種化學物質。InChI編碼 1S/Cd.Ni.2S.Zn/q2*+2;2*-2;+2
利用儀器調控技術和材料表征,研究異質元素摻雜的種類、數量和比例對材料幾何和電子結構的作用機理;結合理論計算和性能分析,揭示材料物理、化學與儲鈉特性的內在聯繫和規律,構建適合可逆儲鈉的表面結構和電化學環境,闡述電化學儲鈉機制。...
這些聚合物經過摻雜處理之後形成電荷轉移絡合物,摻雜後其電導率可以大幅度提高,一般可以提高几個數量級,甚至可以接近常見全try導體的電導率,如聚乙炔和聚毗咯經化學或者電化學摻雜處理後。其電肆率可以達到l iT-5lcrn以上,在某些場合...
半導體核嬗變摻雜是用一定能量的中子、帶電粒子或γ射線等照射材料,通過選擇的核反應在基體中生成原來不存在的新元素,達到半導體材料的摻雜目的。只有中子嬗變摻雜(NDT)得到了實際套用。此方法的原理是K.拉克-霍羅維茨於1951年提出的。19...
利用X射線衍射、X射線光電子譜、傅立葉變換紅外光譜、拉曼光譜、原子力顯微鏡、掃描電子顯微鏡、台階儀等測試了樣品的物相結構、化學成分、形貌及膜厚,利用紫外-可見光吸收光譜、螢光光譜測試了樣品的光吸收性質和光螢光性質,利用四端或...
1.4金屬摻雜硼團簇及其材料研究前景 1.5團簇科學與固體材料聯繫的建立 第2章基礎理論與計算方法 2.1引言 2.2量子化學計算方法 2.2.1HartreeFock方法 2.2.2考慮電子相關的波函式方法 2.2.3密度泛函理論 2.2.4相對論...
主體銻原子與填充客體原子間的電負性差直接決定了客體-主體的化學鍵類型及所得填充化合物的物理性能。其中,ⅥA族元素(硫和硒)在方鈷礦中與框架銻元素形成極性共價鍵,並引入新的晶格動力學模式-原子團簇振動,這種特殊的振動模式與置換...
為了控制半導體的性質可以人為地摻入某種化學元素的原子,摻入雜質元素與半導體材料價電子的不同而產生的多餘價電子會掙脫束縛,成為導電的自由電子,雜質電離後形成正電中心,稱這些摻入的元素為施主雜質。摻雜方式 以半導體材料矽為例,...
聚苯胺除了質子酸摻雜外,還可以進行光誘導摻雜、離子注入摻雜及電化學摻雜等。光誘導摻雜又稱/光助氧化摻雜,是在特定波長的光照射下,使某物質釋放質子作為聚苯胺的摻雜劑進行反應。研究表明,該摻雜是聚苯胺塗層在金屬表面能發揮防腐...
用電化學氧化聚合方法可以在電極表面直接生成導電性薄膜,其電導率可以達到102S/cm,且穩定性好於聚乙炔。聚吡咯的氧化電位比其單體低約1V左右。聚吡咯也可以用化學摻雜法進行摻雜,摻雜後由於反離子的引入,具有一定離子導電能力。聚吡咯...
②對共軛結構進行化學摻雜 雖然導電高分子具有共軛的分子結構,但是π電子未受激發時仍然難以在分子鏈上遷移,導電性能並不是非常理想。因此,利用摻雜的方法在高分子鏈上引入對陰離子(p- 型摻雜)或對陽離子(n-型摻雜)來降低能壘,...