《化合物型半導體薄膜太陽能電池材料的製備新方法研究》是依託電子科技大學,由劉興泉擔任醒目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名：化合物型半導體薄膜太陽能電池材料的製備新方法研究
- 依託單位：電子科技大學
- 項目類別：面上項目
- 項目負責人：劉興泉
項目摘要,結題摘要,
項目摘要
化合物型半導體薄膜（如GaAs, InP, InSb及其衍生物）材料的製備一直是太陽能電池利用和發展的瓶頸，現有的製備方法（如CVD, MOCVD, LPE，MBE等）均不能低成本、大廈糊屑烏規模和高效率地製備太陽能電池用化合物型半導體薄膜材料。本項目旨在探索一種新穎的化合物型半導體薄膜材料的製備方法，其原理是使用母體元素的氧化物為起始原料，在真空條件下與碳發生高溫固相類萃取反應危歸驗，原位形成的目標產物在高溫下氣相沉積在襯底材料上形成薄膜。該新方法避免了使用昂貴的單質和有機金屬化合物，能高效率、低成本和大規模地製備太陽能電池用化合物型半導體薄膜材料。該項目的研究成功，將發現一種該類薄膜芝燥項材料製備的新方法，獲得國內外核心專利和自主智慧財產權，為我國的太陽能利用跨入國際先槳剃旋簽進行列和對推動節能減排，發展低碳經她探虹濟，保護人類生存環境，降低溫室效應具有巨大的現實意義。對豐富該類材料製備途徑具有理論意義和參考價值。
結題摘要
本項目發明了一種化合物型薄膜材料的製備方法，尤其是化合物型半導體薄膜材料的製備方法，該方法特別適合於製備III-V（主）族和II-VI（主）烏紋族化合物型半導體薄膜材料的製備。同時還發明了與之配套的薄膜材料製備設備和工藝，創立了一種命名為高溫固相類萃取原位氧化還原化學氣相沉積反應法的製備方法。較系統的研究了製備III-V族化合物型半導體薄膜捉朵故材料的製備工藝和參數條件，如GaAs、InAs、GaP、InP、Ga0.5In0.5P、Ga0.5In0.5As 和任意組成的 In1-xGaxAs 和 Ga1-xInxP (0
