公司簡介
力晶於八十三年十二月創立於新竹科學園區,業務範圍涵蓋動記憶體製造及晶圓代工兩大類別。八十七年以科技類股票在台灣正式掛牌上櫃。八十八年發行全球存托憑證,成為我國第一家在盧森堡證券交易所上市的上櫃公司。截至九十六年底,力晶擁有六千一百位員工,資本額達新台幣七百八十二億元,年度營收為新台幣七百七十五億元。
基本介紹
- 公司名稱:台灣力晶半導體股份有限公司
- 外文名稱:Powerchip Semiconductor Corp.
- 成立時間:1994-12
- 經營範圍:半導體晶片
基本信息,發展簡史,產品與服務,歷史沿革,
基本信息
企業全稱:台灣力晶半導體股份有限公司
企業簡稱:力晶
英文名稱:Powerchip Semiconductor Corp.
成立時間:1994-12
機構性質:股份有限公司
所屬行業:半導體晶片
發展簡史
為提升在國際市場的競爭力及達到量產的經濟規模,公司設立之初,力晶即與日本三菱電機建立技術、生產與銷售的策略聯盟關係。目前與日本的DRAM大廠Elpida締結策略聯盟,雙方攜手合作共同研發最尖端DRAM技術。代工方面,力晶亦為三菱與日立LSI部門合併後的新公司瑞薩科技(Renesas Technology Corp.)的主要代工夥伴,邁向系統晶片(System LSI)產品領域。
產品與服務
力晶八吋晶圓廠(8A廠),自八十五年開始運轉量產,目前已達四萬片的滿載月產能規模。八十九年力晶興建第一座十二吋晶圓廠(12A廠),滿載月產能可達四萬五千片,不僅是台灣第一座為製造先進記憶體而量身打造的十二吋晶圓廠,也是全球半導體業界前三座進入量產的十二吋DRAM廠。九十二年十月力晶興建第二座十二吋晶圓廠(12B廠),預計九十四年第三季進入量產,滿載月產能可達四萬片規模。
精進技術、服務客戶,成為穩定獲利的世界級半導體公司,是力晶的願景。目前,力晶以先進的科技和產能,提供標準型記憶體(DRAM)、消費性記憶體 (C-RAM)、通訊用記憶體(M-RAM)、高容量快閃記憶體(Flash)、CMOS影像感測器及多元化代工服務。未來,力晶將強化國際合作策略,引進尖端科技,持續穩健投資,在快速變遷的高科技產業中不斷建立競爭優勢,成為與客戶共創雙贏的全方位記憶體供應商。
歷史沿革
1994 年 12 月 力晶半導體股份有限公司成立。
1995 年 03 月 八吋晶圓廠(8A廠)動土典禮。
1996 年 04 月 8A廠正式啟用。
10 月 8A廠開始量產0.40微米 16Mb DRAM / SDRAM。
1997 年 12 月 獲頒 ISO 9002 國際品保系統驗證證書。
1998 年 02 月 8A廠量產 0.30 微米 64Mb DRAM / SDRAM。
03 月 公司股票正式以科技類股於櫃買中心掛牌上櫃。
07 月 切入代工服務領域有成,第一家美國代工客戶產品試產成功。
12 月 獲頒 ISO 14001 國際環境管理系統驗證證書。
1999 年 06 月 與世界先進及三菱電機簽訂策略聯盟合作備忘錄,共組聯盟關係。
11 月 發行第一次海外存托憑證,總金額達美金288,900,000元。
2000 年 07 月 舉行第一座十二吋晶圓廠(P1廠)動土典禮。
2001 年 05 月 發行第一次公司債(含海外公司債),總額達美金200,000,000元。
09 月 榮獲經濟部工業局所舉辦的第十二屆「品質優良案例獎」。
2002 年 10 月 通過OHSAS 18001職業安全衛生評估系列驗證。
11 月 第一座十二吋晶圓廠(Fab P1)正式量產。
2003 年 01 月 謝再居博士接任總經理肩負營運重責。
08 月 力晶與日本Elpida公司正式簽訂0.10、0.09微米技術轉移契約。
10 月 第二座十二吋晶圓廠(P2廠)動土典禮。
2004 年 04 月 力晶十二吋晶圓廠代工業務正式投片。
09 月 力晶員工診所開幕。
2005 年 01 月 獲頒ISO / TS 16949證書。
03 月 P2廠正式啟用。
05 月 力晶開始以十二吋晶圓廠生產高容量快閃記憶體。
2006 年 01 月 與旺宏達成協定購入晶圓廠房,並命名為 12M廠。
02 月 與瑞薩 (Renesas) 達成AG-AND 快閃記憶體技術授權協定。
12 月 與爾必達簽訂合作備忘錄,將設合資公司以新台幣4,500億元於台灣中部建置全球最大12吋晶圓DRAM廠區;雙方並決定共同開發50奈米DRAM製程技術。
2007 年 06 月 力晶研發測試中心動土典禮。
10 月 與爾必達合資之瑞晶電子公司第一座十二吋晶圓廠(R1廠)啟用。
2008 年 04 月 8A廠獨立為鉅晶電子公司。
4 月 與日商瑞薩、SHARP合資設立Renesas SP公司,共同拓展LCD驅動晶片市場。
4 月 第四/五座十二英寸晶圓廠(P4/P5廠)動土。