劑量建成效應

劑量建成效應為百分深度劑量在體模記憶體在吸收劑量最大值。

　　

原因

由於在體模表面不存在次級電子平衡,在體模表面產生的次級電子具有一定的射程，這些電子在一定深度處通過電離，激發作用將能量沉積下來，結果使電子的吸收劑量由體模表面到深層形成遞增累積過程，直至達到最大值。隨著深度的增加光子能量不斷衰減，光子產生的次級電子數量及能量不斷減弱，綜合兩種效果，在最大劑量吸收深度後 ，隨著深度的增加而減小。