共振隧道（resonancetunneling） 在低偏壓下相鄰量子阱的相同子帶間的隧道穿透。此時電子穿過一個或數個勢壘而不失去其相位關係。
基本介紹
- 中文名：共振隧道
- 外文名：resonancetunneling
共振隧穿發生時可以伴隨聲子發射過程。
共振隧道（resonancetunneling） 在低偏壓下相鄰量子阱的相同子帶間的隧道穿透。此時電子穿過一個或數個勢壘而不失去其相位關係。
共振隧道（resonancetunneling） 在低偏壓下相鄰量子阱的相同子帶間的隧道穿透。此時電子穿過一個或數個勢壘而不失去其相位關係。共振隧穿發生時可以伴隨聲子發射過程。...
如圖1所示用共振隧道二極體說明其負阻特性。有些氣體在放電時也會出現負阻特性。而一些硫族化物的玻璃、有機半導體及導電聚合物也有類似的負阻特性。負阻元件在電子學中可製作雙穩態的切換電路及頻率接近微波頻率的震盪電路。性質 圖1繪出一個理想負電阻的電流-電壓關係，其斜率為負值。而一般電阻的斜率為正值。隧...
RHET是在THETA基礎上發展起來的，兩者不同之處在於：THETA的注入器是單勢壘，RHET的注入器是雙勢壘，即所謂共振隧道勢壘。在共振隧道勢壘中從發射區注入電子的能量是單值的，由於RHET表現出負阻特性，在邏輯電路中，使用一個這樣的器件就可以代替幾個常規器件。在電荷注入電晶體（CHINT）中，熱電子注入的原理是基於...
在量子效應器件中，一類是“單電子電晶體”，它可以有一個電子開關；另一類是共振隧道電晶體，它的優越性是:代替簡單的“開”或“關”，它在開關之間有很多不同的狀態，它可以只採用一個共振隧道電晶體代替十幾個常規的電晶體。單電子電晶體的開發與套用前景十分看好。在美國明尼蘇達州大學由史蒂芬·喬領導的一個...
並在國際半導體物理學會等場所發表了超晶格理論。原理 半導體超晶格是指，重疊砷化鎵或砷化鋁等多種不同的半導體薄晶體形成的層結構。組合不同的超晶格材料種類和膜厚，會產生多種不同的量子效應。現在能利用這種結構製作共振隧道效應電晶體，可用作雷射振盪二極體等。
9.3 共振隧道二極體，隧道熱電子電晶體193 9.4 雙勢阱電勢電荷量子比特195 9.5 單電子電晶體198 9.5.1 射頻單電子電晶體（RFSET），一個已被證明了的有用的研究工具200 9.5.2 以亞電子電荷解析度讀出電荷量子比特202 9.5.3 SET和RTD（共振隧道二極體）的對比203 9.6 通過實驗方法獲得的雙阱電荷量子...
量子隧道感測器和納米生物感測器; 納米積體電路包撬納米電子積體電路和納米光電積體電路納米存儲器包括: 超高容量納米存儲器、超高密度數據存儲器、隧道型靜態隨機存儲器、單電子矽基M O S 存儲器、單電子存儲器、單電子量子存儲器; 納米CMOS混合電路包括: 納米CMOS電路和1一V 族化合物半導體共振隧道效應電路, 納米...
MIS隧道結器件研究：研製出超高電流增益MIS發射極雙極電晶體，hFE高達30000，創當時世界最高紀錄；在國內率先研製成功MIS太陽電池；進行了MIS發射極電晶體加速壽命試驗，估算出該器件的使用壽命；撰寫出專著《MIS隧道結與MIS隧道結器件》。三端負阻器件及其套用的研究：設計研製出DUBAT、LBT、NEGIT等多種三端負阻器件；...
假定讀者已有固體物理學的基礎知識，作者全面介紹了半導體光學和輸運現象領域的基本理論和理論在半導體雷射器，半導體探測器，電光調製器，單電子電晶體，微腔和雙壘共振隧道二極體等方面的套用。書中有一百多個習題和解法，以幫助讀者深入理解本書的內容。本書是為工作在這一領域的研究生和高年級大學生寫的，也是活躍在...