全自動半導體測量分析系統

全自動半導體測量分析系統

全自動半導體測量分析系統是一種用於材料科學、物理學領域的物理性能測試儀器,於2015年5月2日啟用。

基本介紹

  • 中文名:全自動半導體測量分析系統
  • 產地:日本
  • 學科領域:材料科學、物理學
  • 啟用日期:2015年5月2日
  • 所屬類別:物理性能測試儀器
技術指標,主要功能,

技術指標

標準4英寸探針台; 100個點多點全自動掃描;溫度自動控制(20到120攝氏度);電阻測試範圍:m Ohm 到 M Ohm;漏電流:保證在±50fA以下,實際值在±20fA;射頻測試(最大可到67GHz);超低信號、超高速I-V測試(最小到fA級);直流式CV測試,交流CV測試和射頻CV測試:C-V測試最小到fF;軟體控制,X軸行程位105毫米,Y軸行程為:200毫米,X-Y的重複性<± 2μ m、精度<± 5μ m,Z軸行程為:20毫米、重複性:<± 1μ m。

主要功能

氧化釩薄膜材料的製備及其在非製冷紅外焦平面探測器上的套用是目前本校節能材料研究中拓展的一個新的領域,熱電阻溫度係數(TCR)的精確標準是有效地控制薄膜和器件工藝和質量的關鍵。在先進節能材料製備平台建設。

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