《全固源分子束外延生長InAsP多量子阱及器件套用》是依託清華大學，由郝智彪擔任項目負責人的專項基金項目。
基本介紹
- 中文名：全固源分子束外延生長InAsP多量子阱及器件套用
- 批准號：60244001
- 項目類別：專項基金項目
- 申請代碼：F0401
- 項目負責人：郝智彪
- 負責人職稱：教授
- 依託單位：清華大學
- 研究期限：2003-01-01 至 2005-12-31
- 支持經費：13（萬元）
項目摘要
InAsP應變多量子阱是製作低閥值、無製冷長波長半導體雷射器及高飽和功率電吸收光調製器等光電子器件最潛力的材料之一，這是因為其導帶偏移量較大。而其套用的關鍵是外延生長多個失配InASP量子阱。本項目利用新型全固源分子束外延技術，對InAsP多量子阱材料的外延生長及相應器件的製作進行研究。
