免疫記憶體記憶

免疫記憶體記憶是在獲得性免疫方面，一度對某抗原發生反應，則在下一次同樣的抗原刺激時，可看到更強烈的反應。又在這種情況下的強反應，稱為再次免疫反應或既往反應。這種現象是對前次抗原刺激產生反應的結果，而起因於對那種抗原能起反應的淋巴系細胞過度的增殖。這些細胞總稱為免疫記憶細胞。

在載體-半抗原效應的研究中，已證明T細胞及B細胞都與免疫記憶有關。即在免疫應答過程中，既能產生B記憶細胞(Bm),也能產生TH記憶(THm)。免疫記憶現象可以解釋為對特異抗原應答的淋巴細胞數量增加的現象。用有限稀釋法計數在載體-半抗原效應中免疫記憶細胞的數量變化，發現在T細胞群中對載體特異的T細胞輔助活性比初次應答可增強10倍。這不僅是由於TH細胞數量的增加，也反映了TH功能的增強所致。