基本介紹
- 中文名:光電成像器件
- 外文名:photoelectronic imaging devices
- 特徵:微光圖像探測器系列的總稱
工作原理
攝像管的基本結構包括光電陰極、靶面及掃描段。光電陰極上的光電子圖像投射到靶面上,變換為電荷潛像,掃描段通過電子槍與偏轉系統實現細電子束對靶面的掃描,並將上面的電荷潛像轉變為視頻信號。有的攝像管在光電陰極和靶面之間增設移像段,幫助光電子圖像的轉移。
20世紀70年代以來迅速發展起來的電荷耦合器件(CCD)是套用最廣的固體成像器件。結構是矽單晶襯底上生長一層厚度約100納米的二氧化矽,上面沉積金屬電極及輸入和輸出端。CCD的優點是將光電轉換及信號的存取集中在一個支撐件上,體積小巧,工作可靠,且具有大動態範圍、高靈敏度、低噪聲。帶像增強器的CCD(ICCD)器件及背照式CCD(EBCCD)等,更是實現了以小型化裝置對微弱光成像的功能。