《光鑷中光勢阱的研究》是依託西安電子科技大學,由韓一平擔任項目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名:光鑷中光勢阱的研究
- 項目類別:面上項目
- 項目負責人:韓一平
- 依託單位:西安電子科技大學
- 負責人職稱:教授
- 批准號:60771039
- 研究期限:2008-01-01 至 2010-12-31
- 申請代碼:F0122
- 支持經費:28(萬元)
中文摘要
本項目主要研究光鑷系統中單層和多層粒子在會聚雷射波束中光勢阱的精確分析方法。當入射雷射束的波長和粒子的尺寸在同一量級時,波束對粒子照射的非均勻性必須予以考慮。項目基於廣義米理論,研究會聚雷射波束的矢量波函式展開和光學勢阱場的計算方法。分析會聚波束中,微粒以及多層微粒的光學勢阱場分布、勢阱力等特性。研究粒子被穩定束縛於阱勢的條件,以及微粒的尺寸、折射率、位置和波束功率、極化特性等因素對光學勢阱力的影響。通過光鑷實驗,分析和測量粒子所受的勢阱力,實驗測量與理論分析相結合,建立光鑷中聚焦波束對微粒的勢阱場、捕獲力的精確分析模型,提高光鑷系統測量精度。研究成果不僅適用於微粒尺寸與入射波長接近的情況,而且可擴展到射線光學和瑞利近似理論所涉及的尺寸範圍,具有更廣泛的套用價值。本項目的研究對生命科學、醫學、材料科學、物理學、化學及納米技術等領域有著重要的意義。