《光聲技術研究半導體器件和材料》是依託南京大學，由張淑儀擔任項目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名：光聲技術研究半導體器件和材料
- 項目類別：面上項目
- 項目負責人：張淑儀
- 依託單位：南京大學
- 批准號：18670745
- 申請代碼：A24
- 負責人職稱：教授
- 研究期限：1987-01-01 至 1989-12-31
- 支持經費：3（萬元）
項目摘要
本研究在新生鼠離體腦幹-脊髓標本及延髓腦薄片上進行（1）分段切割延髓，只有切割至面神經後核內側區時，XII神經根呼吸放電才能發生改變，以至消失。（2）化學損毀面後核內側區，XII呼吸放電不可逆消失。（3）局部微注GABA，呼吸放電呈抑制反應。荷苞牡丹鹼可阻斷此抑制，說明GABA受體參與了呼吸調控的抑制過程。（4）向面後核內側區微注NMDA和KA，均可引起呼吸放電興奮效應。AP5不能完全阻斷效應，而DNQX卻可完全拮抗KA的呼吸興奮效應，說明在面後核內側區調控呼吸中，非NMDA受體起了重要作用，而NMDA是非必需的。（5）在面神經後核內側區記錄到各種類型的呼吸神經元放電，其中呼氣--吸氣跨時相神經元可能是基本呼吸發生神經元。
