光增強金屬有機化合物氣相外延是2011年公布的材料科學技術名詞。
| 中文名稱 | 光增強金屬有機化合物氣相外延 |
| 英文名稱 | photo-enhanced metalorganic phase vapor epitaxy |
| 定 義 | 利用光子能量促進化學反應、降低反應溫度的金屬有機化合物氣相外延。 |
| 套用學科 | 材料科學技術（一級學科），半導體材料（二級學科），半導體材料製備（三級學科） |
光增強金屬有機化合物氣相外延是2011年公布的材料科學技術名詞。定義利用光子能量促進化學反應、降低反應溫度的金屬有機化合物氣相外延。出處《材料科學技術名詞》。...
金屬有機化合物氣相外延（MOCVD）是一項非平衡生長技術，依賴於氣源傳輸和熱裂解反應而實現，合成與分解同時進行。當氫氣攜帶金屬有機化合物蒸氣和非金屬氫化物進入到反應室內加熱的襯底上方時，會發生一系列化學反應並在襯底上生成外延層。M...
低壓金屬有機化合物氣相外延 低壓金屬有機化合物氣相外延是2011年公布的材料科學技術名詞。定義 在小於100Pa的壓力下，進行金屬有機化合物氣相外延的工藝。出處 《材料科學技術名詞》。
有機金屬化合物化學氣相沉積法簡稱MOCVD法(Metal Organic Chemical Vapor Deposition)或有機金屬化合物氣相外延法(Metal Organic Vapor Phase Epitaxy)簡稱MOVPE或OMVPE法。它是把反應物質全部以有機金屬化合物的氣體分子形式,用H2氣作載帶...
8 由於晶體生長技術、分子束外延(MBE)、有機金屬化合物氣相外延(MOCVD)的日益成熟和量子阱結構的出現,LD 的閾值電流已明顯降低,連續或準連續的輸出功率和轉換效率也有所提高,A.Larsson等人將 LD 的總效率提高到 50%以上,冷卻要求的...
7.1.4 液相外延生長 （379）7.2 分子束外延 （380）7.2.1 概述 （380）7.2.2 分子束外延生長的薄膜 （381）7.2.3 分子束外延設備 （383）7.2.4 離化團粒束外延生長 （389）7.3 金屬有機化合物氣相外延生長 （391）...
8 由於晶體生長技術、分子束外延（MBE）、有機金屬化合物氣相外延（MOCVD）的日益成熟和量子阱結構的出現，LD的閾值電流已明顯降低，連續或準連續的輸出功率和轉換效率也有所提高，A.Larsson等人將LD的總效率提高到 50%以上，冷卻要求的...
但由於InN低的分解溫度和高的氮平衡蒸氣壓，製備高質量InN很困難，特別是通過傳統的低壓或常壓金屬有機化合物氣相外延（MOVPE）很難達到預定目標。本項目以為可用於光通信系統的InN基紅外雷射器提供高質量的InN基材料作為目標，提出採用加壓...
