倒裝阱

英文：retrograde well

倒裝阱：利用高能的離子注入，不經過擴散，直接在矽片上的某一深度上形成雜質分布。

倒裝阱的特點：不同阱之間橫向擴散少，阱表面濃度較低，有利於器件特性的改善。

補充：CMOS是大規模積體電路的一般選擇，而CMOS中包含PMOS和NMOS兩種參雜導電類型不同的結構。PMOS的襯底需要是N型的，NMOS的襯底需要是P型的。在矽襯底上所形成的不同類型的襯底稱為阱。阱由離子注入和擴散形成，參雜N型稱為N阱，參雜P型稱為P阱。在同一矽片上形成P阱和N阱稱為雙阱，（Twin－well）。