佟存柱

佟存柱，男，1976年生於吉林省伊通縣，現任中國科學院長春光學精密機械與物理研究所研究員，中國科學院大學博士生導師，中科院特聘骨幹研究員，發光學及套用國家重點實驗室常務副主任，中科院長春光機所學術、學位委員會委員。2005年於中國科學院半導體所獲得博士學位。曾先後在新加坡南洋理工大學和加拿大多倫多大學從事研究工作。

基本介紹

• 中文名：佟存柱
• 國籍：中國
• 出生地：伊通縣 
• 出生日期：1976年 
• 畢業院校：中國科學院半導體研究所、重慶大學 
• 職業：教師
• 學位/學歷：博士

人物經歷

教育背景

2002-09--2005-07 中國科學院半導體研究所 博士

1999-09--2002-07 重慶大學 碩士

1995-09--1999-07 重慶大學 學士

工作經歷

2010-11~, 中國科學院長春光學精密機械與物理研究所, 研究員

2009-08~2010-11,加拿大多倫多大學, 博士後

2005-08~2009-07,新加坡南洋理工大學電子工程學院, Research Fellow

研究方向

1. 高亮度半導體雷射晶片; 2. 高速面發射雷射晶片；3. 碟片雷射器。

主要成就

科研成果

科研成果入選2015中國光學重要成果。國家重點研發計畫會評專家和諮詢專家，IEEE 高級會員。主持國家重點研發計畫項目、973課題、國家自然基金重大項目課題等15項。發表學術論文100餘篇，授權中國發明專利19項，美國專利1項，受理中國發明專利申請14項，美國專利申請2項，國際會議邀請報告20餘次。

專利成果

（ 1 ） 光子晶體納腔量子環單光子發射器件及其製備方法, 發明, 2013, 第 1 作者, 專利號: 201310254144.5

（ 2 ） 相干合束系統和方法, 發明, 2016, 第 1 作者, 專利號: 201610132600.2

（ 3 ） 一種半導體雷射器及其製作方法, 發明, 2016, 第 1 作者, 專利號: 201610098480.9

（ 4 ） 基於光子晶體Y波導的片上集成合束雷射器及其製作方法, 發明, 2014, 第 1 作者, 專利號: 201410734382.0

（ 5 ） 一種高效側嚮導熱的量子級聯雷射器結構及其製備方法, 發明, 2014, 第 1 作者, 專利號: 201410821162.1

（ 6 ） 一種半導體雷射器外腔相干合束系統, 發明, 2017, 第 1 作者, 專利號: 201710779811.X

（ 7 ） 一種半導體雷射器光譜合束系統, 發明, 2017, 第 1 作者, 專利號: 201710779625.6

（ 8 ） 一種半導體雷射器合束裝置及合束方法, 發明, 2017, 第 1 作者, 專利號: 201711171795.2

（ 9 ） Spectral beam combined laser system and method, 發明, 2019, 第 1 作者, 專利號: US 10333265

（ 10 ） 一種半導體雷射器合束裝置, 發明, 2018, 第 1 作者, 專利號: 201810385607.4

（ 11 ） 一種半導體雷射器及製作方法, 發明, 2018, 第 1 作者, 專利號: 201810763803.0

（ 12 ） 一種雷射合束系統, 發明, 2018, 第 1 作者, 專利號: 201811160073.1

（ 13 ） 半導體雷射裝置, 發明, 2018, 第 1 作者, 專利號: 201811331013.1

（ 14 ） 一種半導體雷射器及其製備方法, 發明, 2018, 第 1 作者, 專利號: 201811593627.7

（ 15 ） Laser beam combining system, 發明, 2020, 第 1 作者, 專利號: US10768434B2

（ 16 ） Semiconductor laser and fabrication method thereof, 發明, 2021, 第 1 作者, 專利號: US16449343

發表論文

（1） Beam waist shrinkage of high-power broad-area diode lasers by mode tailoring, Optics Express, 2020, 通訊作者

（2） High power femtosecond semiconductor lasers based on saw-toothed master-oscillator power-amplifier system with compressed ASE, Optics Express, 2020, 通訊作者

（3） Efficiency and threshold characteristics of spectrally beam combined high-power diode lasers, IEEE J. Quantum Electron, 2019, 通訊作者

（4） High power (＞27W) semiconductor disk laser based on pre-metalized diamond heat-spreader, IEEE Photonics Journal, 2019, 通訊作者

（5） Enhancing third-and fifth-order nonlinearity via tunneling in multiple quantum dots, Nanomaterials, 2019, 通訊作者

（6） Parity-time symmetry in coherent asymmetric double quantum wells, Scientific Reports, 2019, 通訊作者

（7） Extract more light for vertical emitting: high power continuous wave operation of 1.3-m quantum-dot photonic-crystal surface-emitting lasers based on flat band, Light: Science and Applications, 2019, 通訊作者

（8） Loss tailoring of high power broad area diode lasers, Optics Letter, 2019, 通訊作者

（9） Harmonic mode-locking in an external-cavity tapered diode laser with saw-toothed microstructure, Appl. Phys. Express, 2019, 通訊作者

（10） High-brightness diode lasers obtained via off-axis spectral beam combining with selective feedback, Optics Express, 2018, 通訊作者

（11） Asymmetric light diffraction of two-dimensional electromagnetically induced grating with PT symmetry in asymmetric double quantum wells, Optics Express, 2018, 通訊作者

（12） Going beyond the beam quality limit of spectral beam combining of diode lasers in a V-shaped external cavity, Optics Express, 2018, 通訊作者

（13） Off-axis spectral beam combining of Bragg reflection waveguide photonic crystal diode lasers, Japanese Journal of Applied Physics, 2018, 通訊作者

（14） High-power GaSb-based microstripe broad-area lasers, Applied Physics Express, 2018, 通訊作者

（15） Beam control of high-power broad-area photonic crystal lasers using ladderlike groove structure, Applied Physics Express, 2017, 通訊作者

（16） Modulation of carrierdynamics and threshold characteristics in 1.3-μm quantum dot photonic crystalnanocavity lasers, Optics and Laser Technology, 2016, 通訊作者

（17） Transient gain–absorption of the probe field intriple quantum dots coupled by double tunneling, Optics Communications, 2016, 通訊作者

（18） Low lateral divergence 2 μm InGaSb/ AlGaAsSb broad-area quantum welllasers, Optics Express, 2016, 通訊作者

（19） Creation and Transfer of Coherence via Technique ofStimulated Raman Adiabatic Passage in Triple Quantum Dots, Nanoscale Research Letters, 2016, 通訊作者

（20） Cavity linewidth narrowing by tunneling induced double dark resonances in triple quantum dot molecules, Optics Communications, 2015, 通訊作者

（21） “Giant fifth-order nonlinearity via tunneling induced quantum interference in triple quantum dots, AIP Advances, 2015, 通訊作者

（22） Tunneling induced transparency and giant Kerr nonlinearity in multiple quantum dot molecules, Physica E, 2015, 通訊作者

（23） High Power, Ultra-low Divergence Edge-Emitting Diode Laser with Circular Beam, IEEE J. Select. Topics Quantum Electron, 2015, 通訊作者

（24） Control of optical bistability and third-order nonlinearity via tunneling induced quantum interference in triangular quantum dot molecules, AIP Advances, 2015, 通訊作者

（25） Controllable cavity linewidth narrowing via spontaneously generated coherence in a four level atomic system, Opt. Communications, 2015, 通訊作者

（26） Giant Kerr nonlinearity via tunneling induced double dark resonances in triangular quantum dot molecules, Laser Physics Letters, 2015, 通訊作者

（27） Spectral line narrowing via spontaneously generated coherence in quantum dot molecules, Opt. Communications, 2014, 通訊作者

（28） Effects of spontaneously generated coherence on resonance fluorescence from triple quantum dot molecules, J. Luminescence, 2014, 通訊作者

（29） Giant Kerr nonlinearity induced by tunneling in triple quantum dot molecules, J. Optical Society of America B, 2014, 通訊作者

（30） Tunneling induced dark state and controllable fluorescence spectrum in triple quantum-dot molecules, J. Physics B, 2014, 通訊作者

（31） Bragg reflection waveguide twin-beam lasers, Laser Phys., 2013, 通訊作者

（32） High efficiency beam combination of 4.6-um quantum cascade lasers, Chin. Opt. Lett., 2013, 通訊作者

（33） Tapered Bragg reflection waveguide edge emitting lasers with near circular twin-beam emission, Chin. Opt. Lett, 2013, 通訊作者

（34） Improved performance of 1.3-μm multilayer p-doped InAs/InGaAs quantum dot lasers using rapid thermal annealing, IEEE Trans. on Nanotechnology, 2012, 第 2 作者

（35） High power single-sided Bragg reflection waveguide lasers with , Appl. Phys. B, 2012, 通訊作者

（36） Observation of the fluorescence spectrum for a driven cascade model system in atomic beam, Opt. Express, 2012, 第 3 作者

（37） Large size self-assembled quantum rings: quantum size effect and modulation on the surface diffusion, Nanoscale Research Lett., 2012, 第 1 作者

（38） Thermal effects and small signal modulation of 1.3-μm InAs/GaAs self-assembled quantum-dot lasers, Nanoscale Research Letters, 2011, 第 3 作者

（39） 1.3-μm In(Ga)As quantum-dot VCSELs fabricated by dielectric-free approach with surface-relief process, IEEE Photon. Technol. Lett., 2011, 第 4 作者

（40） Mode selectivity in Bragg reflection waveguide lasers, IEEE Photon. Technol. Lett., 2011, 第 1 作者

（41） Self-heating effect in 1.3μm p-doped InAs/GaAs quantum dot vertical cavity surface emitting lasers, J. Appl. Phys., 2010, 第 2 作者

（42） Effects of thermal annealing on the dynamic characteristics of InAs/GaAs quantum dot lasers, IEEE Photonics Journal , 2010, 通訊作者

（43） Characteristics of edge emitting Bragg reflection waveguide lasers, IEEE J. Quantum Electron., 2010, 第 1 作者

（44） CW single photonic bandgap mode operation in Bragg reflection waveguide lasers, SPIE, 2010, 第 1 作者

（45） Room-temperature continuous- wave operation of the In(Ga)As/GaAs quantum-dot VCSELs for the 1.3μm optical-fibre communication, Semiconductor Science and Tech, 2009, 第 2 作者

（46） Two-state competition in 1.3um multilayer InAs/InGaAs quantum dot lasers, Appl. Phys. Lett., 2009, 第 3 作者

（47） Low threshold current density, low resistance oxide-confined VCSEL fabricated by a dielectric-free approach, Appl. Phys. B, 2009, 第 4 作者

（48） High-temperature continuous-wave single-mode operation of 1.3-μm p-doped InAs–GaAs quantum-dot VCSELs, IEEE Photon. Technol. Lett. , 2009, 第 3 作者

（49） Fabrication and modulation characteristics of 1.3-μm p-doped InAs quantum dot vertical cavity surface emitting lasers, Journal of Physics D: Applied Physics, 2009, 第 4 作者

（50） A study of low energy Ar+ sputtering induced surface morphological evolution on GaAs substrates, J. Appl. Phys. , 2009, 第 4 作者

（51） Temperature characteristics of 1.3μm p-doped InAs- GaAs quantum dot vertical- cavity surface-emitting lasers, IEEE J. Select. Topics Quantum Electron., 2009, 第 1 作者

（52） Carrier relaxation and modulation response of 1.3um InAs-GaAs quantum dot lasers, J. Lightwave. Tech., 2009, 第 1 作者

（53） Theoretical investigation of 1.3μm dots-under-a-well and dots-in-a-well InAs/GaAs quantum dot vertical-cavity surface-emitting lasers, J. Appl. Phys., 2009, 第 1 作者

（54） Investigation of high-speed modulation of 1.3μm InAs/InGaAs quantum dot VCSELs, SPIE, 2009, 第 1 作者

（55） Temperature characteristics of gain profiles in 1.3μm p-doped and undoped InAs/GaAs quantum dot lasers, IEEE Electron Device Letters, 2009, 第 2 作者

（56） High-temperature continuous-wave single-mode operation of 1.3-μm p-doped InAs–GaAs quantum-dot VCSELs, IEEE Photon. Technol. Lett. , 2009, 第 3 作者

（57） Self-consistent analysis of carrier confinement and output power in 1.3μm InAs-GaAs quantum-dot VCSELs, IEEE J. Quantum Electron., 2008, 第 3 作者

（58） Effects of rapid thermal annealing on optical properties of p-doped and undoped InAs/InGaAs dots-in-a-well structures, J. Appl. Phys., 2008, 第 4 作者

（59） Investigation of the fabrication mechanism of self-assembled GaAs quantum rings grown by droplet epitaxy, Nanotechnology, 2008, 第 1 作者

（60） An investigation of growth temperature on the surface morphology and optical properties of 1.3μm InAs/InGaAs/GaAs quantum dot structures, Nanotechnology, 2007, 第 3 作者

（61） Low transparency current density and high temperature operation from ten-layer p-doped 1.3μm InAs/InGaAs/GaAs quantum dot lasers, Appl. Phys. Lett., 2007, 第 4 作者

（62） Rate equation model of the negative characteristic temperature of InAs/GaAs quantum dot lasers, J. Appl. Phys, 2007, 第 1 作者

（63） Comparative analysis of cavity length-dependent temperature sensitivity of GaInNAs quantum dot lasers and quantum well lasers, Nanotechnology, 2006, 第 4 作者

（64） Rate equations for 1.3μm dots-under-a-well and dots-in -a-well self-assembled InAs/ GaAs quantum dot lasers, IEEE J. Quantum Electron., 2006, 第 1 作者

所獲榮譽

中國科學院榮譽稱號(2010年9月) 及終期優秀獎 (2015年9月)；

《科學中國人》年度人物-傑出青年科學家獎（2013）；

2015中國光學重要成果（2015）；

吉林省自然科學學術成果二等獎 (2018)；

王大珩光學獎-中青年科技人員光學獎（2018）。

社會任職

國家重點研發計畫會評專家和諮詢專家，IEEE 高級會員。