低能光子源是指能發射低能（<150keV）γ光子或X輻射的放射源。低能光子源的主要參數是光子能譜和在某一能區的光子輸出率。由於各種探測器在不同的能區回響是不一樣的，因此在敘述光子能譜和輸出率時必須標明探測儀器，還應說明源窗材料和厚度等。
基本介紹
- 中文名：低能光子源
- 別名：超低能γ（X）源
- 種類：γ放射源、一次X射線源、二次X射線源
- 源芯製備：高溫釉燒工藝
分類,組成,製備,
分類
根據光子產生的方式不同，低能光子源可分為：
γ放射源：初始母體核素的放射性衰變形成了處於激發態的子核、發射出退激X射線。
一次X射線源：放射性核素衰變形成一種處於電離狀態的原子，經電子的重排而發射特徵X射線。
二次X射線源：利用初始核素放出的α、β、γ或X輻射與靶物作用產生的特徵X射線。
對於光子能量小於6keV的放射源，有時又稱超低能γ（X）源。
組成
低能光子源通常由源芯、源窗、源托和源殼等部件組成。源殼材料可採用蒙乃爾合金或不鏽鋼。源窗設計對低能光子源尤為重要，源窗材料、厚度、形狀根據選用的核素、激發源的用途及使用安全性加以綜合考慮。當發射光子的能量比較高時可採用0.2mm厚的不鏽鋼箔窗（如Am低能光子源）。當光子發射能量比較低時應採用鈹窗，或超薄不鏽鋼窗。
製備
1、鈽-238低能光子源的製備
為了獲得符合要求的鈽-238低能光子源，源芯可採用高溫釉燒工藝來製備。其基本方法是把含鈽-238的矽酸鹽玻璃作為釉層，在1350-1400攝氏度高溫下將其燒結在高氧化鋁陶瓷片（源托）上，形成一層厚度只有幾十微米的活性層。
2、鎇-241低能光子源的製備
製造鎇-241低能光子源的方法有兩種。一種為矽酸鹽方法（製成搪瓷或陶瓷），另一種是粉末混合壓片法。矽酸鹽法是將摻有AmO2的面釉搪燒在含有一層底釉的金屬託片上，而製成搪瓷源。將AmO2
粉末與面釉料按1:2配方（重量比）混合，用水法研磨製成懸浮液，滴加到塗有底釉的鎢合金托上，經紅外燈烘乾後放入高溫爐內，在840攝氏度溫度下灼燒2-3分鐘即可製成表面光亮、平滑的搪瓷活性層。
粉末混合壓片法則是利用低原子序數的鋁粉或石英粉、石墨粉做AmO2的結合材料，混合攪勻後裝到源殼中壓製成片。為了防止源芯在源殼內活動，並給α衰變產生的氦氣留有空間，可採用多孔不鏽鋼墊塊將其固定，然後密封在源殼內。
