《低維半導體系統的聲拖磁熱功率和庫侖拖電阻率計算》是依託南京大學，由秦國毅擔任項目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名：低維半導體系統的聲拖磁熱功率和庫侖拖電阻率計算
- 項目類別：面上項目
- 項目負責人：秦國毅
- 依託單位：南京大學
- 批准號：19474019
- 研究期限：1995-01-01 至 1997-12-31
- 申請代碼：A2003
- 支持經費：4（萬元）
- 負責人職稱：教授
項目摘要
用非均勻系輸運理論首次導出不等於零的M張量的分量Mxx的理論公式，由此算出的低維半導體系的聲拖磁熱功率振盪與實驗符合的情況遠優於前人的結果。提出對耦合雙柱形量子阱的庫侖牽引電阻率的計算可以統一地導出耦合二維——二維繫和耦合二維——一維繫的庫倉庫牽引電阻率，有關研究對低維集成器件的開發設計有一定的價值。在計及由電荷轉移而造成的內電功和電子空穴間互作用的條件下計算了雙量子阱、雙量子線及雙量子點之間電子空穴對的隧穿。以此為基礎在綜合討論上載流子的聲助馳豫率，電子 空穴對隧穿入氧化層並被發光中心吸收以及納米粒子內外輻射的無輻射複合率的相對大小後，確證了可解釋納米品耗發光大部份實驗的“量子限制發光中心模型”的要行性。
