《低溫電漿輔助製備納電子器件單元機理的研究》是依託清華大學，由蒲以康擔任項目負責人的重點項目。
基本介紹
- 中文名：低溫電漿輔助製備納電子器件單元機理的研究
- 依託單位：清華大學
- 項目負責人：蒲以康
- 項目類別：重點項目
- 負責人職稱：教授
- 申請代碼：A2907
- 研究期限：2004-01-01 至 2007-12-31
- 批准號：10335040
- 支持經費：200（萬元）
項目摘要
納電子器件的合成是下一代納米級線寬積體電路製造和量子效應器件的技術基礎，它的成功能極大地促進科學技術水平的提高。納電子器件單元是由導體、半導體、絕緣體的納米點、線、膜在納米尺度下組裝而成的。不同形態和性質的納電子材料的製備和有效的尺寸控制是納電子器件單元合成的前提。本項目通過自行開發具有自己特色和良好空間分辨能力的電漿中各類活性粒子診斷工具，研究基片附近電漿鞘層中中性和帶電活性粒子對所沉積的納電子材料的形態和性質的作用機理，以及電漿參數和基片條件對活性粒子濃度和分布產生的影響，從而獲得電漿輔助合成納電子材料的物理機制和控制合成的有效途徑，為以材料和結構為基礎的納電子器件合成的研究奠定基礎。該學科交叉課題的順利完成，也將對電漿物理和納米材料合成領域的理論研究和套用起一定的推動作用。
