低溫鈍化法

工藝過程

低溫鈍化法工藝過程大致如下：

(1)擴散工序完成後，在進行低溫鈍化之前，須將全部作為擴散掩膜用的高溫生長的SiO₂層腐蝕掉。

(2)對矽片重新進行物理化學處理。

(3)以四乙氧基矽烷作源，用熱分解澱積法在750℃下重新在矽表面上生成低溫SiO₂。如果要製成多層介質鈍化膜，則這層SiO₂膜可作為第一層。

(4)用化學氣相澱積或澱積金屬氧化物的方法在SiO₂上形成低溫玻璃層(鉛玻璃或磷玻璃)作為第二層。

(5)有時，為提高加工精度，在玻璃層上再製備一層和光刻膠附著性良好的低溫SiO₂膜。

上述全過程都是在較低溫度下進行的，故稱為低溫鈍化技術。

低溫鈍化技術的優點是：溫度低，澱積時間短，對晶片的熱影響較小，不易引起雜質的再分布和污染，在形成鈍化膜時，不引起半導體表面態的變化，選擇適當的玻璃層能較容易地避免熱應力的產生，可以製成多層結構的鈍化膜，並通過改變各層玻璃的成分比，能使表面態密度在較寬的範圍內改變等等。