任天令，1971年9月出生於山東省濟南市。1997年博士畢業於清華大學現代套用物理系。現為清華大學微電子所教授，博士生導師，微納器件與系統研究室主任。
基本介紹
- 中文名：任天令
- 時間：1971年9月
- 籍貫：山東省濟南市
- 研究方向：新型微機電器件與系統等
研究方向,個人作品,個人成就,主要成果,獲獎,學術兼職：,
研究方向
1．新型微機電器件與系統（MEMS）：（1）矽微聲學器件與系統；（2）用於射頻（RF）通信的薄膜濾波器、微型天線、電感等；（3）集成微感測器（壓力、加速度等）；（4）基於矽基鐵電/壓電材料的微感測器與執行器；（5）面向生化、醫學套用的新型微機電器件與系統。
2．新型半導體存儲技術：（1）鐵電不揮發存儲器FeRAM；（2）鐵電場效應器件FeFET；（3）高介電常數(high K)材料在半導體存儲技術中的套用；（4）磁隨機存儲器MRAM。
3．納電子與自旋電子學：（1）基於磁阻效應（GMR、TMR等）或電子自旋的新型器件；（2）新型納米結構與器件。
4．微納電子技術中的新材料：（1）鐵電/壓電薄膜；（2）磁性薄膜；（3）其它套用於微納電子器件的新材料。
個人作品
GMR生物感測器研究進展用於集成磁感測器的熱穩定巨磁電阻自旋閥基於GMR納米薄膜的磁場感測器研究基於自旋閥的GMR線性感測器的製作RIE對巨磁電阻自旋閥磁性能的影響Ni81Fe19層厚度對自旋閥巨磁電阻性能的影響
個人成就
先後參加和承擔"七五"、"八五"、"九五"多項國家"863"、"攻關"任務，國家重點基礎研究發展規劃項目（"973"），及國家自然科學基金課題等。已在國內外學術期刊及學術會議上發表論文100餘篇，已獲得國家發明專利4項，獲得科技成果鑑定1項。
主要成果
1．矽基鐵電集成器件
面向矽微電子器件套用，系統研究了PZT、PT、BST、BLT等多種重要矽基鐵電薄膜材料的物性及製備、刻蝕方法等，較好的解決了與常規微電子工藝兼容的高品質矽基鐵電器件實現的核心集成技術問題。在此基礎上，成功研製了多種新型矽基鐵電集成器件。
（1）鐵電微聲學器件
將具有優異的力電耦合能力PZT鐵電薄膜與微電子機械系統（MEMS）技術相結合，成功實現了新型的矽基鐵電集成微麥克風。這類新型MEMS微聲學器件具有優異的靈敏度及頻響特性，能夠集微麥克風和揚聲器功能於一體，可廣泛套用於音頻以及超聲頻段的多種微聲學系統，並可大大拓展傳統微麥克風的套用空間。
（2）鐵電存儲器（FeRAM）
面向不揮發、嵌入式套用，提出高品質、大面積鐵電薄膜的新型製備方法，較好的解決了刻蝕損傷、氫隔離層、應力匹配等與常規CMOS工藝兼容性問題，提出了一種可精確進行鐵電電容電學模擬的新方法（已獲得發明專利），設計、最佳化了鐵電存儲器單元與陣列結構。在此基礎上，成功研製了具有不揮發存儲功能的鐵電存儲器晶片原型。
2．其他新型矽微電子器件
（1）磁電子器件
研究、最佳化了納米磁性多層薄膜微磁結構，解決了高品質矽基多層納米磁性薄膜的製備、刻蝕等關鍵器件集成方法問題，實現了磁阻變化率超過 9% 的標準巨磁電阻（GMR）自旋閥結構。設計了最佳化的器件單元結構，研製了具有優異性能的可用於驗鈔機磁頭等的磁場感測器晶片。
（2）新型射頻（RF）微電感
提出了一種新型的層疊通孔型磁芯結構RF-SOC微電感，它將新型的絕緣磁性材料與CMOS工藝集成，實現高品質的RF微電感。
獲獎
1．2004年，教育部"新世紀優秀人才支持計畫"
2．2003年，霍英東教育基金會"高等院校青年教師獎"（研究類）
學術兼職：
中國電子學會學術工作委員會委員；
中國電子學會高級會員；
中國微米納米技術學會理事；
IEEE高級會員；
中國物理學會《Chinese Physics Letters》特約評審。
