《以膜基界面疲勞強度作為薄膜技術改進的判據》是依託西安交通大學，由胡奈賽擔任項目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名：以膜基界面疲勞強度作為薄膜技術改進的判據
- 項目類別：面上項目
- 項目負責人：胡奈賽
- 依託單位：西安交通大學
- 負責人職稱：教授
- 批准號：59671064
- 研究期限：1997-01-01 至 1999-12-31
- 申請代碼：E0102
- 支持經費：11（萬元）
中文摘要
提高膜基結合強度是薄膜技術中的重要問題。傳統的劃痕法存在很多不足。我們首次提出用接觸疲勞試驗方法，以界面剪應力△τ作為膜基剝離應力。改變接觸應力得到△τ-N曲線，定義經5×10（6）循環周次後薄膜剝落面積5%時作為膜層失效，對應的△τc為膜基界面疲勞強度，以此表徵結合強度。對基體和薄膜均為高強（硬）度，正應力＜2000MPa時，可認為是彈性應力場，可用經典赫芝理論計算應力。我們測試了國內外鍍制的標準試樣結果表明，△τc只和界面因素有關，對非界面因素不敏感。為提高界面疲勞強度，在我單位的主要鍍膜設備（PCVD和IBED）上均摸索出了有效的工藝措施。對低強度基體和膜，膜薄面結合力又大時，設備要作改進為減小滾珠直徑、降低久載和增加周次等。
