介電限域效應是納米微粒分散在異質介質中由於界面引起的體系介電增強的現象，主要來源於微粒表面和內部局域場強的增強。
基本介紹
- 中文名：介電限域效應
- 情況：納米微粒分散在異質介質中
- 結果：體系介電增強
- 來源：微粒表面和內部局域場強的增強
介電限域,表現,
介電限域
當介質的折射率對比微粒的折射率相差很大時，就產生了折射率邊界，這就導致微粒表面和內部的場強比入射場強明顯增加，這種局域場強的增強稱為介電限域。一般來說，過渡族金屬氧化物和半導體微粒都可能產生介電限域效應，納米顆粒的介電限域對光吸收、光化學、光學非線性等都會有重要的影響。
表現
A .特殊的光學性質：金屬超微顆粒對光的反射率很低，通常可低於l%，大約幾微米的厚度就能完全消光。B.特殊的熱學性質：超細微化後其熔點將顯著降低，當顆粒小於10納米量級時尤為顯著。C.特殊的磁學性質：當顆粒尺寸減小到 2*10-2微米以下時，其矯頑力可增加1千倍，若進一步減小其尺寸，大約小於 6*10-3微米時，其矯頑力反而降低到零，呈現出超順磁性。D.特殊的力學性質：強度、柔韌度、延展性E.特殊的電學性質：原來是導體的銅等金屬，在尺寸減少到幾個納米時不導電；絕緣的二氧化矽等，電阻會大大下降，失去絕緣特性，變得能導電了
