二硫化錮銅晶體。upper indium disulphide crystal C'uIn周期表第l，III，11`族元素化合物半導體共價鍵結 合，有一定的離子鍵成分。正方晶系黃銅礦型結構，晶格常數 U . 5524nm。為直接帶隙半導體，室溫禁頻寬度I.SScV電 子和空穴遷移率分別為Z x lU-和1.5x LU一'm"(V "s).熔 點IUSU。採用布里奇曼法、定Gal凝固法製備一為光電池 材料。 基本介紹 中文名：二硫化錮銅晶體外文名：upper indium disulphide crystal C'uIn
