二氧化碳腐蝕與控制

二氧化碳腐蝕與控制

《二氧化碳腐蝕與控制》是2001年化學工業出版社出版的圖書,作者是張學元、邸超、雷良才。

基本介紹

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二氧化碳腐蝕與控制

內容簡介

作 者:張學元,邸超,雷良才編著
出 版 社:化學工業出版社
出版時間:2001-1-1
版 次:頁 數:字 數: 印刷時間:開 本:紙 張: 印 次:I S B N:9787502528430包 裝:平裝

基本概述

本書專門討論二氧化碳腐蝕與控制。書中描述了二氧化碳腐蝕的形態、機理,詳細討論了二氧化碳腐蝕的影響因素,介紹了二氧化碳腐蝕危險預測模型以及二氧化碳腐蝕的檢測方法和控制技術附錄列出了二氧化碳相關的物理、化學常數等。 本書可供各行業(尤期是油氣田、石化及碳酸飲料)從事腐蝕研究和防腐蝕技術開發與套用的人員參考,也可供材料、腐蝕與防擴、油氣田等專業師生參考。

腐蝕和腐蝕控制原理

二氧化碳腐蝕

二氧化碳溶入水後對部分金屬材料,例如有極強的腐蝕性,由此而引起的材料破壞
: j' M1 h& ~' r3 {1 W統稱為二氧化碳腐蝕。在相同的ph 值下,由於二氧化碳的總酸度比鹽酸高,因此,它對鋼鐵的腐蝕比鹽酸還嚴重。二氧化碳腐蝕能使油氣井的壽命大大低於設計壽命,低碳鋼的腐蝕速率可
! Y4 O- J! H' L* G高達7mm/a,有時甚至更高。

二氧化碳控制原理

考慮兩個漫反射微元之間的輻射交換(服從朗伯定律),設dA1面為發光面,dA2面為接收面,則由dA1面發射,dA2面接收到的光通量為:
式中,L為發光面的光亮度
圖2-2為積分球測光通量的原理圖。設球的半徑為r,球內壁各點漫反射是均勻的,服從朗伯定律,漫反射比為P。光源S位於球內,光源的總光通量為Φ。A和M為球內兩點,設在A點處面積元dS上產生的直射光照度為Ea。由於球內壁為均勻漫反射表面,因此,dS面上的光出射度為:
根據朗伯定律的特性有
所以,dS面上的光亮度為:
由A點處面積元ds經一次漫反射在M點產生的二次照度dE2由式(2-1)可得:
由圖2-2可知,AM = 2r cosθ,代入上式得:
由上式可知:dS面上的漫反射光在球壁任一點產生的光照度均為,而與該點的位置無關。除M點外,球內所有各點的一次漫反射在M點產生的全部光照度為:
二、二、四……次漫反射光在球壁M點建立的光照度依次為:
因此球內任一點M的光照度總和為:
在光源S和M點放一擋屏,將直射光擋掉,則
Ep稱為漫反射照度。
以上結論適於積分球無開孔時的情況,實際上,積分球開有入射口和探測口。設入射口面積為S1,出射口面積為S2,整個球面的面積為S。一次漫反射在開口處的損耗率為(S1+S2) /S,因此可對式(2-8)予以修正為:
由於漫反射比P ,面積,
S2、S均為定值,令,則
上式表明,與光源總光通量Φ成正比。一般我們所用的積分球Sl + S2<<S,也似認為積分球開也無影響。
積分球的衰減率為:
-在積分球出射口出射的光通量,
-進入積分球入射口的光通量,
上兩式表明,光通量為的雷射束經積分球漫反射衰減後形成均勻光強,由於探測器是對輻照度的回響,所以當它放在球內某一表面處時,它的輸出信號值就能表示入射到積分球內的光通量。

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