二次電子像

物質原子核外電子受到入射電子作用產生激發，

以入射方向逸出樣品的電子稱為二次電子。

二次電子的特點

(1)能量小於50eV，在固體樣品中的平均自由程只有10～100nm。在這樣淺的表層里，入射電子與樣品原子只發出有限次數的散射，因此基本上未向側向擴散；

(2)二次電子的產額強烈依賴於入射束與試樣表面法線間的夾角a , a大的面發射的二次電子多，反之則少。

二次電子成像

二次電子像主要是反映樣品表面10nm左右的形貌特徵，像的襯度是形貌襯度，襯度的形成主要取於樣品表面相對於入射電子束的傾角。

如果樣品表面光滑平整（無形貌特徵），則不形成襯度；而對於表面有一定形貌的樣品，其形貌可看成由許多不同傾斜程度的面構成的凸尖、台階、凹坑等細節組成，這些細節的不同部位發射的二次電子數不同，從而產生襯度。

二次電子像解析度高、無明顯陰影效應、場深大、立體感強，是掃描電鏡的主要成像方式（特別適用於粗糙樣品表面的形貌觀察），在材料及生命科學等領域有著廣泛的套用。