《下一代超高速應變矽MOS器件與積體電路基礎研究》是依託清華大學，由許軍擔任項目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名：下一代超高速應變矽MOS器件與積體電路基礎研究
- 依託單位：清華大學
- 項目負責人：許軍
- 項目類別：面上項目
- 批准號：60476017
- 申請代碼：F0406
- 負責人職稱：研究員
- 研究期限：2005-01-01 至 2007-12-31
- 支持經費：26（萬元）
項目摘要
在現有的生產加工設備條件和現有的MOS器件特徵尺寸下，如何通過探索新型器件材料、研究新型器件結構、開發新型器件工藝，不斷提高器件與積體電路的性能，無論是對於微電子學與積體電路技術的長遠發展，還是對於我國微電子產業規避巨額投資風險，實現跨越式發展，都具有十分重要的學術意義和套用價值。本課題首先擬採用現有的超高真空化學氣相澱積（UHV/CVD）設備來研究製備弛豫的SiGe過渡層，在此基礎上將進一步研究
