《一維鐵電體SrBi2Ta2O9納米結構生長機制研究》是依託哈爾濱工業大學，由王文擔任項目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名：一維鐵電體SrBi2Ta2O9納米結構生長機制研究
- 依託單位：哈爾濱工業大學
- 項目類別：面上項目
- 項目負責人：王文
- 負責人職稱：教授
- 批准號：50872024
- 研究期限：2009-01-01 至 2011-12-31
- 申請代碼：E0206
- 支持經費：30（萬元）
項目摘要
鐵電器件正朝高度微型化、集成化方向發展，在納米尺度上理解低維鐵電效應就變得十分重要。本項目擬通過溶膠-凝膠浸漬法及電泳法合成SrBi2Ta2O9(SBT)鐵電納米線（管），該方法原料易得，工藝簡單可靠。針對合成製備獲得的SBT鐵電納米線（管）分析兩個科學問題，第一，SBT納米線（管）的生長機制：從材料結構的空間群對稱層次探討SBT納米結構的生長機制並確定生長軸取向；分析SBT納米結構由非晶態凝膠粒子，轉變成核晶化過程及晶粒生長動力學，從而揭示出製備工藝條件對SBT納米線(管)生長取向影響的本質因素。第二，SBT納米線（管）的納米尺寸效應：研究SBT納米晶粒大小、生長取向性對其介電、鐵電性能和光致發光性能的影響規律，通過性能測試嘗試揭示其臨界尺寸的可能區域。從而為指導該系一維鐵電納米材料和器件的工藝設計，最小臨界尺寸、以及生長取向與性能關係提供理論指導，為鐵電納米器件的套用奠定基礎。
