《一種低針孔發生率亞光黑色聚醯亞胺薄膜及其製備方法》是桂林電器科學研究院有限公司於2018年8月24日申請的專利，該專利公布號為CN109135281B，專利公布日為2021年6月15日，發明人是青雙桂、唐必連、馮婷婷、馬紀翔、白小慶、蔣耿傑。
基本介紹
- 中文名：一種低針孔發生率亞光黑色聚醯亞胺薄膜及其製備方法
- 授權公告號：CN109135281B
- 授權公告日：2021.06.15
- 申請號：201810971271X
- 申請日：2018.08.24
- 專利權人：桂林電器科學研究院有限公司
- 地址：541004廣西壯族自治區桂林市七星區東城路8號
- 發明人：青雙桂; 唐必連; 馮婷婷; 馬紀翔; 白小慶; 蔣耿傑
- 專利代理機構：桂林市持衡專利商標事務所有限公司45107
- 代理人：唐智芳
- 對比檔案：CN 104169330 A,2014.11.26; TW 201313783 A,2013.04.01
國際專利分類號,專利摘要,
國際專利分類號
Int. Cl.
C08L79/08(2006.01)I; C08K3/04(2006.01)I; C08K3/22(2006.01)I; C08K3/36(2006.01)I; C08J5/18(2006.01)I; C08G73/10(2006.01)I
專利摘要
本發明公開了一種低針孔發生率亞光黑色聚醯亞胺薄膜及其製備方法。所述的製備方法包括以下步驟：（1）將溶質為碳黑的黑色分散液和溶質為消光劑的白色分散液混合，所得混合液進行剪下分散和/或超聲分散，加入非金屬醇鹽，再進行剪下分散和/或超聲分散，即得黑色填料分散液；（2）在極性非質子溶劑中，按1：0.990‑0.998的摩爾比加入二胺和二酐反應製得聚醯胺酸樹脂溶液，然後加入黑色填料分散液，攪勻後加入或不加入穩定劑，攪勻，得到亞光黑色聚醯胺酸樹脂溶液；（3）所得亞光黑色聚醯胺酸樹脂溶液按現有常規工藝製備得到亞光黑色PI薄膜。採用本發明所述方法製得的薄膜機械性能、電氣性能和光澤度良好，針孔率和氣泡率低。
