[電漿]箍縮([plasma] pinch)是2019年公布的物理學名詞,出自《物理學名詞》第三版。
基本介紹
- 中文名:[電漿]箍縮
- 外文名:[plasma] pinch
- 所屬學科:物理學
- 公布時間:2019年
[電漿]箍縮([plasma] pinch)是2019年公布的物理學名詞,出自《物理學名詞》第三版。
[電漿]箍縮 [電漿]箍縮([plasma] pinch)是2019年公布的物理學名詞,出自《物理學名詞》第三版。公布時間 2019年經全國科學技術名詞審定委員會審定發布。出處 《物理學名詞》第三版。
Z箍縮,是電流流過柱形導體(電漿、導電物質)產生角向磁場,該角向磁場作用於載流子從而形成徑向壓力。當電流達到百萬安培量級時,可產生巨大的磁壓力,用於約束電漿或使物質向內加速、碰撞,可獲得高溫、高密度的電漿狀態。...
硬芯箍縮,是由一個放在環管中心的絕緣金屬環構成的,環電流產生一個環繞磁場,此外,還有一個不被電漿捕獲的軸向磁場包圍著電漿。硬芯箍縮放電比所謂穩定箍縮更加穩定。簡介 為了研究電漿穩定性,研究出一種有希望的路線是“...
是指一個環形電漿柱,它由一個迅速上升的螺旋形磁場產生、加熱和約束。構造 螺旋箍縮中螺旋形的磁場位形可以通過平行於電漿柱的環向磁場和環向電漿電流產生的角向場的合成而得到。這和托馬克的磁場位形有些相同。特點 在...
《Z箍縮電漿X光輻射能譜的數值模擬研究》是依託電子科技大學,由祖小濤擔任醒目負責人的聯合基金項目。項目摘要 X光譜學方法是Z箍縮高溫稠密電漿診斷中的關鍵技術,該診斷方法具有很高的精確度,而且不會對電漿內部狀態產生干擾。...
《診斷Z-箍縮電漿狀態參數的湯姆遜散射技術研究》是依託中國科學技術大學,由俞昌旋擔任項目負責人的聯合基金項目。中文摘要 z-箍縮裝置是慣性約束聚變研究中常用的高功率驅動器之一,它利用脈衝強電流產生和箍縮電漿,將電漿的...
《小型Z箍縮電漿裝置輻射特性的試驗研究》是依託清華大學,由羅承沐擔任項目負責人的面上項目。項目摘要 以得到最佳X射線輻射為目的,對小型噴氣式Z箍縮電漿的運算參數進行最佳化。研究該電漿中的基本物理過程及輻射特性(包括...
直線箍縮裝置(稱為Z-pinch)是一種開端系統的聚變裝置。就是在柱形放電管中通過強大的電流,來使其中的電漿產生箍縮效應而受到壓縮和加熱,以形成高密度的灼熱電漿。這種產生高溫電漿的裝置結構簡單,但有很多缺點:放電管兩端...
《預充電漿的陽極桿箍縮二極體物理特性研究》是依託西北核技術研究院,由孫劍鋒擔任項目負責人的青年科學基金項目。項目摘要 預充電漿的陽極桿箍縮二極體是在陽極桿箍縮二極體的基礎上,預先填充一定密度的電漿,以降低二極體阻抗,...
《高密度Z箍縮電漿物理學》是 國防工業出版社在 2003-1出版的,作者是Liberman。內容簡介 本書是俄、美學者撰寫的關於高密度Z箍縮的電漿物理學的第一部專著,即在軸向大電流產生的磁力箍縮下,電漿柱或柱殼徑向收縮、快速...
每一層磁面都是等壓面;電漿環中心壓強最高,壓強從中心到外層逐層降低為零。因此,電漿環完全可以通過磁場力來箍縮。基本原理 環形箍縮裝置是發生核聚變、產生新能量的裝置。聚變反應堆要求高溫電漿作為它的燃料。因此探討如何...
《反場箍縮電漿中漂移波不穩定性的理論研究》是依託南開大學,由劉松芬擔任項目負責人的青年科學基金項目。中文摘要 微觀漂移不穩定性是磁約束聚變中引起反常輸運的重要原因,其不穩定性的研究不僅能促進湍流理論的發展,而且有助於提高...
《X箍縮內爆動力學過程的物理特性及二維MHD數值模擬研究》是依託山東大學,由趙彤擔任項目負責人的專項基金項目。中文摘要 X箍縮(X-pinch)電漿是高質量的X射線輻射點源,非常適合作為X射線背光光源用來研究高密度材料中的瞬態現象,...
在箍縮電漿中會發生各種各樣的磁流體力學不穩定性,但其中有兩種是共同的。假設有一個小的彎曲(或扭曲)在電漿內產生,如圖3所示,那么可以看到,環繞電漿的磁力線在下面(裡面)的比在上面(外面)的靠得緊一些,也即下面...
場反向箍縮電漿是實現受控熱核反應的另一途徑。其優點是比壓值高,結構簡單,磁場位形有天然的偏濾器作用,電漿形成區與聚態反應區分開,簡化了聚變堆的結構及維修技術問題。(2)反場箍縮 反場箍縮也是聚變研究的重要途徑之一,...
電漿的流體描述 第1章 電漿的流體理論模型 1.1 電漿的雙流體模型 1.2 理想磁流體(ideal MHD)方程組 1.3 位力定理與變分原理 附錄 第2章 理想磁流體平衡 2.1 磁場位形與磁面 2.2 Z—箍縮,θ—箍縮 2.3 ...
磁場的磁應力能對電漿的整體施加巨觀力來約束電漿;如果電漿記憶體在電流,則電漿電流與其自身產生的磁場的相互作用力(箍縮力)能使電漿箍縮(約束)起來;磁鏡效應可使速度滿足一定條件的電漿帶電粒子在強磁場區反射...
研究表明,Z箍縮產生的X光輻射並不是平衡的Planck能譜分布。輻射的非平衡特性會極大地影響Z箍縮內爆動力學狀態,並且也被廣泛用於診斷電漿參數。項目從理解Z箍縮非平衡X光輻射微觀產生機制及其對內爆動力學的反作用過程出發,通過把細緻...
近三年來,利用強光一號開展了高功率Z箍縮技術研究,獲得X射線總能量達到60kJ,但光子能量大部分集中在200~400eV之間,距離開展冷X射線輻射效應模擬研究還有很大的差距,尚缺少光子能量為keV以上的高功率電漿輻射源。
到2015年11月4日為止,科大一環每兩分鐘即可獲得一次放電,最大電漿電流可達180千安。據介紹,該裝置建設的最終目標,是有望將來解決人類能源不足問題。發展歷程 反場箍縮磁約束聚變實驗裝置(Keda Torus eXperiment, KTX,中文簡稱“...
《放電電漿極紫外光刻光源關鍵物理及技術問題研究》是依託哈爾濱工業大學,由王騏擔任項目負責人的重點項目。項目摘要 Z箍縮放電電漿極紫外(EUV)光源,巧妙地將慣性約束核聚變中獲得高溫、高密度電漿的Z箍縮技術移植到小尺寸放電...
其次,在單絲研究基礎上,系統研究了全局磁場下絲陣電漿消融過程及其輻射特性,基於研製的空間分辨達160μm的雷射湯姆遜散射診斷系統,首次定量測得Z箍縮消融電漿調製結構內部的速度差異,為進一步揭示MRT初始擾動產生機理提供了新的...
在電流幅值大於MA、脈衝上升時間百納秒的低阻抗(0.75歐姆)脈衝功率裝置上,研究不同驅動電流參數和負載結構的高功率Z箍縮電漿內爆過程和輻射特性,探索控制電漿晃榷ㄐ約疤岣叻涔β屎妥恍實耐揪丁Q芯扛呤本糠直嫻牡...
成功地將脈衝功率驅動器全電路模擬程式FCM分別與零維程式、2D(r,theta)歐拉的Zeus程式、以及Z箍縮電漿輻射磁流體力學程式MARED耦合,為雙層絲陣Z箍縮物理實驗設計奠定了重要基礎。在PTS裝置上開展了首次雙層絲陣內爆實驗,實驗結果已...
《基於超環面晶體成像電漿診斷技術研究》是依託重慶大學,由施軍擔任項目負責人的面上項目。中文摘要 國內首次提出研製超環面彎曲晶體,該曲面晶體能夠對箍縮或雷射聚變電漿成像,通過X箍縮聚爆或雷射轟擊金屬靶產生電漿點光源,...
本書系統介紹電漿的物理基礎、實驗技術以及一些典型的套用。全書共6章,第1章介紹電漿的物理基礎;第2章介紹電漿實驗診斷技術;第3~6章分別針對不同的放電電漿對象進行介紹,其中,第3章為Z箍縮電漿,第4章為雷射...
在受控熱核反應裝置中,就是利用磁面一層層地把電漿約束起來,壓強從裡層到外層逐漸下降為零。電流線位於同▽ p 相垂直的面上,故磁面也是電流面。主要結構 ①線箍縮 在圓柱形放電管中通以強大的軸向電流以壓縮電漿的磁結構...
本書研究背景為利用絲爆電漿的Z箍縮獲得高功率軟X射線源,圍繞電爆炸過程中金屬絲能量沉積這一關鍵問題,系統研究了負載參數、表面狀態、驅動電流極性、電極結構等因素的影響。此外,本書詳細介紹了小型脈衝功率實驗系統的搭建過程,包括...