(A0.5B0.5)xTi1-xO2陶瓷的點缺陷調控與巨介電機理研究

(A0.5B0.5)xTi1-xO2陶瓷的點缺陷調控與巨介電機理研究

《(A0.5B0.5)xTi1-xO2陶瓷的點缺陷調控與巨介電機理研究》是依託陝西師範大學,由劉鵬擔任項目負責人的面上項目。

基本介紹

  • 中文名:(A0.5B0.5)xTi1-xO2陶瓷的點缺陷調控與巨介電機理研究
  • 項目類別:面上項目
  • 項目負責人:劉鵬
  • 依託單位:陝西師範大學
項目摘要,結題摘要,

項目摘要

本項目製備 (A0.5B0.5)xTi1-xO2 (A= In3+, Al3+, Ga3+等三價金屬陽離子;B= Nb5+, Ta5+, Sb5+, V5+等五價金屬陽離子)陶瓷,探索出具有良好的溫度和頻率穩定性的低損耗、巨介電常數(>1000)新材料;研究化學計量、氣氛燒結與退火等工藝條件對材料結構、顯微組織與巨觀電學性能的影響;採用X射線漫散射、HTEM、XPS、EPR、正電子淹滅譜等技術對材料中的點缺陷進行表征,研究缺陷對材料電學性能影響,結合理論分析,揭示該材料中巨介電現象的結構根源與物理本質;本項目的研究將為TiO2巨介電常數新材料在高容量電容器和儲能領域的套用奠定基礎,並豐富電介質理論。

結題摘要

本項目主要針對電子器件小型化和高儲能密度電容器的發展需求,採用固相反應法製備了一系列TiO2基巨介電陶瓷,通過介電譜的研究,發現此類陶瓷的巨介電現象是由多種介電弛豫共同貢獻的,其中“電子釘扎”弛豫峰(10-30 K)對巨介電起主要貢獻,通過元素摻雜與退火處理實現了對“電子釘扎”弛豫峰的連續調控;研究了元素摻雜、燒結氣氛和退火處理對陶瓷結構、顯微組織和介電性能的影響,製備出一系列擁有巨介電常數(ε^'>104)和低介電損耗(tan δ<0.05)的(A0.5Nb0.5)xTi1-xO2 (A= In3+, Y3+, Yb3+, La3+, Tl3+)陶瓷;通過引入第二相,提高了陶瓷的擊穿場強和介電偏壓穩定性,其中 (In0.5Nb0.5)0.5%(Ti0.8Zr0.2)99.5%O2陶瓷滿足X7R型電子元器件的要求。本項目還拓展了研究內容,在(A0.5Nb0.5)0.05Ti0.95O2 (A= Al3+, Co3+)陶瓷中發現了磁介電現象。本項目發表SCI論文11篇,其中一區4篇,二區5篇,申報國家發明專利3項(已授權1項)。

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