《n型摻雜GaAs超快光電子特性的飛秒光譜研究》是依託中山大學，由林位株擔任項目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名：n型摻雜GaAs超快光電子特性的飛秒光譜研究
- 項目類別：面上項目
- 項目負責人：林位株
- 依託單位：中山大學
- 批准號：69676015
- 申請代碼：F0405
- 負責人職稱：教授
- 研究期限：1997-01-01 至 1999-12-31
- 支持經費：10.5（萬元）
中文摘要
本項目採用可調諧飛秒雷射光譜技術研究n型摻雜GaAs中不同激發能態電子和空穴的弛豫動力學過程，了解雜質電子對材料超快光電子特性的影響。研究工作取得了三個具創新性的成果：一n-GaAs中摻雜電子費米海的禁止效應和態填充效應減慢低能態電子的初始散射速率，對高能態的電子影響則不大。二採用選擇激發看重空穴對探測信號的貢獻並發展了新的理論模型，測出重空穴的熱化時間為300飛秒，光學形變勢為31eV。三提出了關於克爾透鏡鎖模固體雷射器的“厚透鏡”模型，比先前的“箔透鏡”模型具更清晰物理意義，簡化了計算，利於雷射器的設計和操作。共14篇研究論文已在國內外重要刊物和學術會議發表。獲得兩項成果獎，一項實用新型專利，培養了4位博碩士研究生。
