概況
CMOS工藝是在
PMOS和NMOS工藝基礎上發展起來的。CMOS中的C表示“互補”，即將NMOS器件和PMOS器件同時製作在同一矽
襯底上，製作CMOS積體電路。
優勢
CMOS積體電路具有功耗低、速度快、抗干擾能力強、
集成度高等眾多優點。CMOS工藝目前已成為當前大規模積體電路的主流工藝技術，絕大部分積體電路都是用CMOS工藝製造的。
工藝
CMOS電路中既包含
NMOS電晶體也包含
PMOS電晶體，NMOS電晶體是做在P型矽
襯底上的，而PMOS電晶體是做在N型矽襯底上的，要將兩種電晶體都做在同一個矽襯底上，就需要在矽襯底上製作一塊反型區域，該區域被稱為“阱”。根據阱的不同，CMOS工藝分為P阱CMOS工藝、N阱CMOS工藝以及雙阱CMOS工藝。其中N阱CMOS工藝由於工藝簡單、電路性能較P阱CMOS工藝更優，從而獲得廣泛的套用。
