《SiGe/Si肖特基異質結雙極型電晶體的研究》是依託電子科技大學,由李平擔任醒目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名：SiGe/Si肖特基異質結雙極型電晶體的研究
- 依託單位：電子科技大學
- 項目類別：面上項目
- 項目負責人：李平
- 負責人職稱：教授
- 申請代碼：F0404
- 研究期限：1995-01-01 至 1997-12-31
- 批准號：69476033
- 支持經費：8.4（萬元）
項目摘要
本項目研究提出並驗證了一種新型電晶體結構-肖特基異質結雙極電晶體（SHBT）。它採用一層極薄的寬禁帶材料發射區，減小發射區串聯電阻和發射區少子渡越時間。設計並研製出SiGe SHBT,npn管達ft≥15GHz、pnp管fT≥6GHz，達到了預定目標。此外，研製出微波功率SiGe SHBT達fo=1GHz,Pout≥4.5W,Kp≥6.1dB；開展SiGe和Si二極體對比實驗，前者反向恢復時間toff=20ns，後者toff=940ns。總結出異質發射結界面處理方法，穩定的獲得BVceo=BVcbo，使BVceo顯著提高，該技術已套用到工廠高壓功率BSIT生產中，取得很好的效益。在SHBT理論指導下，提出四項異質結新器件的中國發明專利申請，中國專利局已公告，開拓了窄禁帶發射區HBT研究新領域，轉讓專利技術一項。
