半導體SiC的禁頻寬度為3.25eV，具有高臨界擊穿電場、高熱導率、高載流子飽和漂移速度等優點，特別是該器件的反向漏電流低。SiC紫外探測器只對波長400nm一下的輻射選擇性接收，其紫外輻射的接收與矽探測器相比，要大兩個數量級，並且不需要表面加工處理，可保持長期的穩定性。另外，靈敏度和暗電流在使用溫度條件下幾乎不受溫度變化的影響，可在700K的高溫下使用。
隨著體單晶及其同質外延SiC材料性能的不斷提高，可在不同的沉積條件下用直流濺射法在玻璃底襯的SiC襯底上沉積ITO：TIO和Ni膜，並可由此製成SiC金屬-半導體-金屬紫外輻射探測器。
