《SiC中缺陷的鐵磁性以及反鐵性耦合機理的研究》是依託西安電子科技大學，由王雨田擔任項目負責人的青年科學基金項目。
基本介紹
- 中文名：SiC中缺陷的鐵磁性以及反鐵性耦合機理的研究
- 項目類別：青年科學基金項目
- 項目負責人：王雨田
- 依託單位：西安電子科技大學
中文摘要,結題摘要,
中文摘要
近些年在SiC中發現離子注入的缺陷能夠在注入區域內誘發高磁飽和強度鐵磁性耦合的現象（d0磁性），這一現象已經就成為自旋電子學和磁學研究的熱點。但是一些實驗指出d0磁性的磁飽和強度隨注入劑量的變化很小，於是研究產生鐵磁耦合的機理就成為實用化d0磁性的首要問題。我們發現大部分離子注入產生的缺陷磁性樣品能夠被分成為順磁相、和鐵磁相貢獻，且所有鐵磁樣品中的順磁相含有順磁性中心數目相近。基於上述成果本項目旨在首先通過定量研究順磁性中心數目隨鐵磁性磁飽和強度的變化來定量研究鐵磁相和順磁相間的相互作用，通過電子順磁共振、正電子湮滅技術、蒙特卡洛和第一性模擬建立磁性缺陷之間相互作用的模型，進而研究鐵磁作用機理。其次通過超導量子干涉器件（SQUID）交考察換偏置效應的測試反鐵磁性的作用。本項目能在探索d0磁性SiC中鐵磁耦合的物理機制方面做出創新性成果，為進一步推進SiC套用做出貢獻。
結題摘要
本次研究了缺陷鐵磁SiC的交換偏置效應。交換偏置的兩個典型特徵：磁滯隨磁場冷卻的變化和訓練效應。採用核殼形態粒子模型定量分析了交換偏置場與冷卻場的關係。基於該模型，計算出的各向異性常數為2.5 × 105 erg/cm3。Training effect 可用經典交換偏置系統的Kolmogorov-Avrami模型來描述。交換偏置的出現是鐵磁和反鐵磁層或核/殼之間存在界面的特徵。
