《SiC MOSFET功率器件高速驅動研究》是依託西安電子科技大學，由張藝蒙擔任項目負責人的青年科學基金項目。
基本介紹
- 中文名：SiC MOSFET功率器件高速驅動研究
- 項目類別：青年科學基金項目
- 項目負責人：張藝蒙
- 依託單位：西安電子科技大學
中文摘要,結題摘要,
中文摘要
為了提高能源的利用效率，降低CO2排放量，提高電力轉換效率是一個非常重要的研究方向。相比於傳統的矽基功率器件，碳化矽功率器件有著非常明顯的優越性。本項目針對SiC MOSFET功率器件的驅動電路進行研究，以提升其在高速開關電路套用中的性能。本項目主要進行降低器件在高速開關下SiC MOSFET功率器件開關損耗的機理研究，降低電路過沖電壓/過沖電流的機理研究，以及降低功率器件EMI干擾的機理研究，對採用SiC MOSFET功率器件開關電路的設計具有重要意義。本項目將建立器件和驅動模組的數值仿真模型，對驅動電路提出新的設計方法，製作出樣機並進行測試。最終製作的樣機能夠使SiC MOSFET在1MHz的開關頻率下實現高效率工作。
結題摘要
為了提高能源的利用效率，降低CO2排放量，提高電力轉換效率是一個非常重要的研究方向。相比於傳統的矽基功率器件，碳化矽功率器件有著非常明顯的優越性。本項目針對SiC MOSFET功率器件的驅動電路進行研究，以提升其在高速開關電路套用中的性能。本項目主要進行降低器件在高速開關下SiC MOSFET功率器件開關損耗的機理研究，降低電路過沖電壓/過沖電流的機理研究，以及降低功率器件EMI干擾的機理研究，對採用SiC MOSFET功率器件開關電路的設計具有重要意義。本項目建立了器件和驅動模組的數值仿真模型，對驅動電路提出了新的設計方法，製作出樣機並進行測試。最終製作的樣機能夠使SiC MOSFET在1MHz的開關頻率下實現高效率工作。
