《OLED顯示裝置及其封裝方法》是京東方科技集團股份有限公司於2014年8月5日申請的專利，該專利申請號為2014103813653，公布號為CN104241550A，公布日為2014年12月24日，發明人是張嵩。
《OLED顯示裝置及其封裝方法》的實施例提供OLED顯示裝置及其封裝方法。該OLED顯示裝置的封裝方法，包括：提供顯示基板，所述顯示基板具有顯示區域以及位於所述顯示區域外側的周邊區域；在所述顯示基板的周邊區域形成圍堰；並且採用同一個掩模板，在所述顯示基板上形成多個薄膜封裝層，其中所述多個薄膜封裝層將所述圍堰包裹在內。
2021年6月24日，《OLED顯示裝置及其封裝方法》獲得第二十二屆中國專利銀獎。
（概述圖為《OLED顯示裝置及其封裝方法》摘要附圖）
基本介紹
- 中文名：OLED顯示裝置及其封裝方法
- 公布號：CN104241550A
- 申請人：京東方科技集團股份有限公司
- 發明人：張嵩
- 申請號：2014103813653
- 申請日：2014年8月5日
- 公布日：2014年12月24日
- 地址：北京市朝陽區酒仙橋路10號
- 代理機構：北京市柳沈律師事務所
- 代理人：彭久雲
- Int. Cl.：H01L51/56(2006.01)I；H01L51/52(2006.01)I
- 類別：發明專利
專利背景,發明內容,附圖說明,技術領域,權利要求,實施方式,專利榮譽,
專利背景
有機發光二極體（Organic Light-Emitting Diode，簡稱OLED）顯示裝置由於具有薄、輕、寬視角、主動發光、發光顏色連續可調、成本低、回響速度快、能耗小、工作溫度範圍寬、生產工藝簡單、發光效率高及可柔性顯示等優點，已經成為平板顯示領域中一種非常重要的顯示技術。
空氣中的水汽和氧氣等成分對OLED顯示裝置中的OLED器件的壽命影響很大。OLED器件的陰極通常採用鋁、鎂、鈣等金屬材質形成，它們的化學性質比較活波，極易與滲透進來的水汽和氧氣發生反應。另外，水汽和氧氣還會與OLED器件的空穴傳輸層以及電子傳輸層發生化學反應，這些反應都會引起OLED器件的失效。因此，對OLED顯示裝置進行有效的封裝，使OLED器件的各功能層與大氣中的水汽、氧氣等成分充分隔開，就可以大大延長OLED器件的壽命，從而延長OLED顯示裝置的使用壽命。
OLED顯示裝置的封裝方法一般包括基板封裝和薄膜封裝（thin film encapsulation，簡稱TFE）兩種類型。基板封裝是指在形成有OLED器件的顯示基板與封裝基板之間填充膠膜，膠膜固化後使顯示基板與封裝基板之間形成密閉的空間，從而達到封裝的效果。薄膜封裝是指在OLED器件表面覆蓋由無機薄膜和有機薄膜組合的薄膜封裝層，以使水氧難以滲入OLED器件內部。
圖1為一種採用薄膜封裝的OLED顯示裝置的截面示意圖。如圖1所示，OLED顯示裝置包括覆蓋在OLED器件（包括第一電極110、第二電極113以及位於它們之間的發光層112）上的薄膜封裝層，薄膜封裝層包括交替堆疊的多個第一薄膜封裝層130-1和第二薄膜封裝層130-2。第一薄膜封裝層130-1形成為大於第二薄膜封裝層130-2並包裹第二薄膜封裝層130-2的邊緣，以限制或防止空氣中的水汽和氧氣等從薄膜封裝層的邊緣進入OLED器件。在此情形下，需要採用兩塊掩模板來分別形成第一薄膜封裝層130-1和第二薄膜封裝層130-2。進一步地，根據一種技術，在OLED器件上依次形成逐漸增大的多個薄膜封裝層並且上層的薄膜封裝層包裹下層的薄膜封裝層的邊緣，以更好地限制或防止空氣中的水汽和氧氣等從薄膜封裝層的邊緣進入OLED器件，在此情形下，就需要採用多個掩模板來分別形成該多個薄膜封裝層。
由上可見，需要採用至少兩塊掩模板才能完成薄膜封裝並且需要頻繁地更換掩模板，這提高了生產成本並使生產工藝複雜化。
發明內容
根據《OLED顯示裝置及其封裝方法》的實施例，提供一種OLED顯示裝置的封裝方法。該方法包括：提供顯示基板，所述顯示基板具有顯示區域以及位於所述顯示區域外側的周邊區域；在所述顯示基板的周邊區域形成圍堰；並且採用同一個掩模板，在所述顯示基板上形成多個薄膜封裝層，其中所述多個薄膜封裝層將所述圍堰包裹在內。
例如，所述顯示基板的顯示區域具有矩陣排列的多個像素單元；所述顯示基板包括像素界定層，用以限定所述多個像素單元；並且所述方法包括：將所述圍堰形成在所述像素界定層上。
例如，所述封裝方法包括：將所述圍堰與所述像素界定層一體形成。
例如，所述顯示基板的顯示區域具有矩陣排列的多個像素單元；所述顯示基板包括：像素界定層，用以限定所述多個像素單元；以及平坦化層，位於所述像素界定層的下方並使所述顯示基板平坦化；並且所述方法包括：將所述圍堰形成在所述平坦化層上，將所述像素界定層形成在所述圍堰與所述多個薄膜封裝層之間，其中所述像素界定層將所述圍堰包裹在內。
例如，所述封裝方法包括：將所述圍堰與所述平坦化層一體形成。
例如，所述顯示基板的顯示區域具有矩陣排列的多個像素單元，每個像素單元包括OLED及驅動所述OLED的驅動TFT；所述顯示基板包括：像素界定層，用以限定所述多個像素單元；平坦化層，位於所述像素界定層的下方並使所述顯示基板平坦化；以及鈍化層，位於所述平坦化層的下方並將所述驅動TFT與所述OLED隔開；並且所述方法包括：所述圍堰形成在所述鈍化層上，將所述平坦化層和所述像素界定層依次形成在所述圍堰與所述多個薄膜封裝層之間，其中所述平坦化層和所述像素界定層將所述圍堰包裹在內。
例如，所述封裝方法包括：將所述圍堰與所述鈍化層一體形成。
例如，所述掩模板具有開口，該開口大於或等於圍堰的外周邊所圍成的區域。當將所述掩模板放置在所述顯示基板上時，所述開口恰好露出整個所述圍堰；或者當將所述掩模板放置在所述顯示基板上時，所述開口露出整個所述圍堰並露出所述顯示基板的位於所述圍堰外側的部分表面。
例如，沿垂直於所述顯示基板的的表面的方向截取所述圍堰的截面，該截面的形狀為上邊寬度小於底邊寬度的梯形或上邊寬度等於底邊寬度的矩形。
例如，所述圍堰的所述截面的形狀為非直角梯形。
例如，所述圍堰形成首尾相接的封閉環形，以圍繞所述顯示區域。
根據《OLED顯示裝置及其封裝方法》的實施例，提供一種OLED顯示裝置。該顯示裝置包括：顯示基板，所述顯示基板具有顯示區域及位於所述顯示區域外側的周邊區域；圍堰，形成在所述顯示基板的周邊區域中；以及多層封裝層，形成在所述顯示基板上並將將所述圍堰包裹在內。
例如，所述顯示基板的顯示區域具有矩陣排列的多個像素單元；所述顯示基板包括像素界定層，用以限定所述多個像素單元；並且所述圍堰形成在所述像素界定層上。
例如，所述圍堰與所述像素界定層一體形成。
例如，所述顯示基板的顯示區域具有矩陣排列的多個像素單元；所述顯示基板包括：像素界定層，用以限定所述多個像素單元；以及平坦化層，位於所述像素界定層的下方並使所述顯示基板平坦化；並且所述圍堰形成在所述平坦化層上，所述像素界定層形成在所述圍堰與所述多個薄膜封裝層之間，所述像素界定層將所述圍堰包裹在內。
例如，所述圍堰與所述平坦化層一體形成。
例如，所述顯示基板的顯示區域具有矩陣排列的多個像素單元，每個像素單元包括OLED及驅動所述OLED的驅動TFT；所述顯示基板包括：像素界定層，用以限定所述多個像素單元；平坦化層，位於所述像素界定層的下方並使所述顯示基板平坦化；以及鈍化層，位於所述平坦化層的下方並將所述驅動TFT與所述OLED隔開；並且所述圍堰形成在所述鈍化層上，所述平坦化層和所述像素界定層依次形成在所述圍堰與所述多個薄膜封裝層之間，所述平坦化層和所述像素界定層將所述圍堰包裹在內。
例如，所述圍堰與所述鈍化層一體形成。
例如，所述多個薄膜封裝層的邊緣位於所述圍堰的外側壁上，或者所述多個薄膜封裝層的邊緣位於所述顯示基板的位於所述圍堰外側的表面上。
例如，沿垂直於所述顯示基板的表面的方向截取所述圍堰的截面，該截面的形狀為上邊寬度小於底邊寬度的梯形或上邊寬度等於底邊寬度的矩形。
例如，所述圍堰的所述截面的形狀為非直角梯形。
例如，所述圍堰形成首尾相接的封閉環形，以圍繞所述顯示區域。
附圖說明
圖1採用薄膜封裝的OLED顯示裝置的截面圖；
圖2是根據《OLED顯示裝置及其封裝方法》實施例的OLED顯示裝置的截面圖一；
圖3是根據《OLED顯示裝置及其封裝方法》實施例的OLED顯示裝置的截面圖二；
圖4是根據《OLED顯示裝置及其封裝方法》實施例的OLED顯示裝置的截面圖三；
圖5是根據《OLED顯示裝置及其封裝方法》實施例的OLED顯示裝置的截面圖四；
圖6是根據《OLED顯示裝置及其封裝方法》實施例的OLED顯示裝置的平面圖。
註：以上對《OLED顯示裝置及其封裝方法》的附圖作簡單地介紹，描述中的附圖僅僅涉及該發明的一些實施例，而非對該發明的限制。
技術領域
《OLED顯示裝置及其封裝方法》的實施例涉及OLED顯示裝置及其封裝方法。
權利要求
1、一種OLED顯示裝置的封裝方法，包括：提供顯示基板，所述顯示基板具有顯示區域以及位於所述顯示區域外側的周邊區域；在所述顯示基板的周邊區域形成圍堰；並且採用同一個掩模板，在所述顯示基板上形成多個薄膜封裝層，其中所述多個薄膜封裝層將所述圍堰包裹在內，其中所述顯示基板的顯示區域具有矩陣排列的多個像素單元；所述顯示基板包括：像素界定層，用以限定所述多個像素單元；以及平坦化層，位於所述像素界定層的下方並使所述顯示基板平坦化；並且所述方法包括：將所述圍堰形成在所述平坦化層上，將所述像素界定層形成在所述圍堰與所述多個薄膜封裝層之間，其中所述像素界定層將所述圍堰包裹在內。
2、根據權利要求1所述的封裝方法，包括：將所述圍堰與所述平坦化層一體形成。
3、根據權利要求1或2所述的封裝方法，其中所述掩模板具有開口，該開口大於或等於圍堰的外周邊所圍成的區域；當將所述掩模板放置在所述顯示基板上時，所述開口恰好露出整個所述圍堰；或者當將所述掩模板放置在所述顯示基板上時，所述開口露出整個所述圍堰並露出所述顯示基板的位於所述圍堰外側的部分表面。
4、根據權利要求1或2所述的封裝方法，其中所述圍堰的沿垂直於所述顯示基板的表面的方向的截面形狀為上邊寬度小於底邊寬度的梯形或上邊寬度等於底邊寬度的矩形。
5、根據權利要求1或2所述的封裝方法，其中所述圍堰形成首尾相接的封閉環形，以圍繞所述顯示區域。
6、根據權利要求1或2所述的封裝方法，其中所述顯示區域包括OLED，並且在所述顯示基板上所述圍堰形成為高於所述OLED。
7、根據權利要求1或2所述的封裝方法，其中至少在所述顯示區域，所述多個薄膜封裝層彼此直接接觸。
8、一種OLED顯示裝置的封裝方法，包括：提供顯示基板，所述顯示基板具有顯示區域以及位於所述顯示區域外側的周邊區域；在所述顯示基板的周邊區域形成圍堰；並且採用同一個掩模板，在所述顯示基板上形成多個薄膜封裝層，其中所述多個薄膜封裝層將所述圍堰包裹在內，其中所述顯示基板的顯示區域具有矩陣排列的多個像素單元，每個像素單元包括OLED及驅動所述OLED的驅動TFT；所述顯示基板包括：像素界定層，用以限定所述多個像素單元；平坦化層，位於所述像素界定層的下方並使所述顯示基板平坦化；以及鈍化層，位於所述平坦化層的下方並將所述驅動TFT與所述OLED隔開；並且所述方法包括：所述圍堰形成在所述鈍化層上，將所述平坦化層和所述像素界定層依次形成在所述圍堰與所述多個薄膜封裝層之間，其中所述平坦化層和所述像素界定層將所述圍堰包裹在內。
9、根據權利要求8所述的封裝方法，包括：將所述圍堰與所述鈍化層一體形成。
10、根據權利要求8或9所述的封裝方法，其中所述掩模板具有開口，該開口大於或等於圍堰的外周邊所圍成的區域；當將所述掩模板放置在所述顯示基板上時，所述開口恰好露出整個所述圍堰；或者當將所述掩模板放置在所述顯示基板上時，所述開口露出整個所述圍堰並露出所述顯示基板的位於所述圍堰外側的部分表面。
11、根據權利要求8或9所述的封裝方法，其中所述圍堰的沿垂直於所述顯示基板的表面的方向的截面形狀為上邊寬度小於底邊寬度的梯形或上邊寬度等於底邊寬度的矩形。
12、根據權利要求8或9所述的封裝方法，其中所述圍堰形成首尾相接的封閉環形，以圍繞所述顯示區域。
13、根據權利要求8或9所述的封裝方法，其中在所述顯示基板上所述圍堰形成為高於所述OLED。
14、根據權利要求8或9所述的封裝方法，其中至少在所述顯示區域，所述多個薄膜封裝層彼此直接接觸。
15、一種OLED顯示裝置，包括：顯示基板，所述顯示基板具有顯示區域及位於所述顯示區域外側的周邊區域；圍堰，形成在所述顯示基板的周邊區域中；以及多個薄膜封裝層，形成在所述顯示基板上並將將所述圍堰包裹在內，其中所述顯示基板的顯示區域具有矩陣排列的多個像素單元；所述顯示基板包括：像素界定層，用以限定所述多個像素單元；以及平坦化層，位於所述像素界定層的下方並使所述顯示基板平坦化；並且所述圍堰形成在所述平坦化層上，所述像素界定層形成在所述圍堰與所述多個薄膜封裝層之間，所述像素界定層將所述圍堰包裹在內。
16、根據權利要求15所述的顯示裝置，其中所述圍堰與所述平坦化層一體形成。
17、根據權利要求15或16所述的顯示裝置，其中所述多個薄膜封裝層的邊緣位於所述圍堰的外側壁上，或者所述多個薄膜封裝層的邊緣位於所述顯示基板的位於所述圍堰外側的表面上。
18、根據權利要求15或16所述的顯示裝置，其中所述圍堰的沿垂直於所述顯示基板的表面的方向的截面形狀為上邊寬度小於底邊寬度的梯形或上邊寬度等於底邊寬度的矩形。
19、根據權利要求15或16所述的顯示裝置，其中所述圍堰形成首尾相接的封閉環形，以圍繞所述顯示區域。
20、根據權利要求15或16所述的顯示裝置，其中所述顯示區域包括OLED，並且在所述顯示基板上所述圍堰形成為高於所述OLED。
21、根據權利要求15或16所述的顯示裝置，其中至少在所述顯示區域，所述多個薄膜封裝層彼此直接接觸。
22、一種OLED顯示裝置，包括：顯示基板，所述顯示基板具有顯示區域及位於所述顯示區域外側的周邊區域；圍堰，形成在所述顯示基板的周邊區域中；以及多個薄膜封裝層，形成在所述顯示基板上並將將所述圍堰包裹在內，其中所述顯示基板的顯示區域具有矩陣排列的多個像素單元，每個像素單元包括OLED及驅動所述OLED的驅動TFT；所述顯示基板包括：像素界定層，用以限定所述多個像素單元；平坦化層，位於所述像素界定層的下方並使所述顯示基板平坦化；以及鈍化層，位於所述平坦化層的下方並將所述驅動TFT與所述OLED隔開；並且所述圍堰形成在所述鈍化層上，所述平坦化層和所述像素界定層依次形成在所述圍堰與所述多個薄膜封裝層之間，所述平坦化層和所述像素界定層將所述圍堰包裹在內。
23、根據權利要求22所述的顯示裝置，其中所述圍堰與所述鈍化層一體形成。
24、根據權利要求22或23所述的顯示裝置，其中所述多個薄膜封裝層的邊緣位於所述圍堰的外側壁上，或者所述多個薄膜封裝層的邊緣位於所述顯示基板的位於所述圍堰外側的表面上。
25、根據權利要求22或23所述的顯示裝置，其中所述圍堰的沿垂直於所述顯示基板的表面的方向的截面形狀為上邊寬度小於底邊寬度的梯形或上邊寬度等於底邊寬度的矩形。
26、根據權利要求22或23所述的顯示裝置，其中所述圍堰形成首尾相接的封閉環形，以圍繞所述顯示區域。
27、根據權利要求22或23所述的顯示裝置，其中在所述顯示基板上所述圍堰形成為高於所述OLED。
28、根據權利要求22或23所述的顯示裝置，其中至少在所述顯示區域，所述多個薄膜封裝層彼此直接接觸。
實施方式
為使《OLED顯示裝置及其封裝方法》實施例的目的、技術方案和優點更加清楚，以下結合該發明實施例的附圖，對該發明實施例的技術方案進行清楚、完整地描述。顯然，所描述的實施例是該發明的一部分實施例，而不是全部的實施例。基於所描述的該發明的實施例，該領域普通技術人員在無需創造性勞動的前提下所獲得的所有其他實施例，都屬於該發明保護的範圍。
註：《OLED顯示裝置及其封裝方法》使用的技術術語或者科學術語應當為該發明所屬領域內具有一般技能的人士所理解的通常意義。該發明專利申請說明書以及權利要求書中使用的“第一”、“第二”以及類似的詞語並不表示任何順序、數量或者重要性，而只是用來區分不同的組成部分。同樣，“一個”、“一”或者“該”等類似詞語也不表示數量限制，而是表示存在至少一個。“包括”或者“包含”等類似的詞語意指出現在“包括”或者“包含”前面的元件或者物件涵蓋出現在“包括”或者“包含”後面列舉的元件或者物件及其等同，並不排除其他元件或者物件。“上”、“下”、“左”、“右”等僅用於表示相對位置關係，當被描述對象的絕對位置改變後，則該相對位置關係也可能相應地改變。
《OLED顯示裝置及其封裝方法》的實施例提供一種OLED顯示裝置及其封裝方法，能夠在延緩空氣中的水汽和氧氣等從薄膜封裝層的邊緣侵入OLED器件的時間的同時採用一塊掩模板形成多個薄膜封裝層，因此延長了OLED器件的壽命，簡化了薄膜封裝工藝並降低了薄膜封裝的成本。下面，參照圖2至圖6，詳細描述根據該發明實施例的OLED顯示裝置及其封裝方法。
根據該發明實施例的OLED顯示裝置的封裝方法包括：提供顯示基板1，所述顯示基板1具有顯示區域01以及位於所述顯示區域01外側的周邊區域02；在所述顯示基板1的周邊區域02形成圍堰30；並且採用同一個掩模板，在所述顯示基板上形成多個薄膜封裝層40，其中所述多個薄膜封裝層40將所述圍堰30包裹在內。
例如，顯示基板1的顯示區域01具有以矩陣形式排列的多個像素單元，每個像素單元包括OLED器件及用於驅動OLED器件的驅動薄膜電晶體（thin film transistor，簡稱TFT）。
參見圖2至圖5，顯示基板1包括基底基板10以及依次形成在基底基板10上的緩衝層11、有源層12、柵絕緣層13、柵極層、層間絕緣層15、源漏金屬層、鈍化層18、以及平坦化層19。柵極層包括柵電極14，源漏金屬層包括源電極16和漏電極17。源電極16和漏電極17通過貫穿層間絕緣層15和柵絕緣層13的過孔連線到有源層12。有源層12、柵絕緣層13、柵電極14、層間絕緣層15、源電極16和漏電極17構成驅動TFT。鈍化層18將驅動TFT與後續形成的OLED器件隔開。平坦化層19使顯示基板的表面平坦化。需要說明的是，除驅動TFT以外，顯示基板還包括例如開關TFT、存儲電容以及柵線、數據線等結構，與驅動TFT一起用於驅動OLED器件，這些結構與相關技術中相同。
繼續參見圖2至圖5，顯示基板1還包括形成在平坦化層19上的像素界定層21及OLED器件。像素界定層21限定出所述多個像素單元。OLED器件形成在像素單元內並包括第一電極20、第二電極23以及設定在第一電極20和第二電極23之間的有機發光層22。例如，有機發光層包括空穴注入層、空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層以及電子注入層。OLED器件的第一電極20通過貫穿平坦化層19和鈍化層18的過孔連線到驅動TFT的漏極17。
需要說明的是，構成驅動TFT的各個層、鈍化層18、平坦化層19、像素界定層21及構成OLED器件的各個層可由相關技術中用於製備這些層的任何已知的材料和方法形成，該發明的實施例對此不進行限定。
需要說明的是，驅動TFT和OLED器件可採用相關技術中任何已知的結構並且驅動TFT和OLED器件可具有任何已知的相對位置關係，該發明的實施例對此不進行限定。
在提供所述顯示基板1之後，在所述顯示基板1的周邊區域02形成圍堰30。例如，通過採用普通掩模板的圖案化工藝形成圍堰30。例如，圍堰的厚度為2~5微米，寬度為50~500微米。
例如，所述圍堰由無機材料形成，該無機材料為Al2O3、TiO2、ZrO2、MgO、HfO2、Ta2O5、Si3N4、AlN、SiN、SiNO、SiO、SiO2、SiOx、SiC和ITO中的一種或幾種的組合。
例如，所述圍堰由有機材料形成，該有機材料為PET（聚對苯二甲酸乙二酯）、PEN（聚萘二甲酸乙二醇酯）、PC（聚碳酸酯）、PI（聚醯亞胺）、PVC（聚氯乙烯）、PS（聚苯乙烯）、PMMA（聚甲基丙烯酸甲酯）、PBT（聚對苯二甲酸丁二醇酯）、PSO（聚碸）、PES（聚對苯二乙基碸）、PE（聚乙烯）、PP（聚丙烯）、silicone（聚矽氧烷）、PA（聚醯胺）、PVDF（聚偏二氟乙烯）、EVA（乙烯-醋酸乙烯共聚物）、EVAL（乙烯-乙烯醇共聚物）、PAN（聚丙烯氰）、PVAc（聚乙酸乙烯酯）、Parylene（聚對二甲苯基）、Polyurea（聚脲）、PTFE（聚四氟乙烯）和epoxy resin（環氧樹脂）中的一種或幾種的組合。
例如，所述圍堰由上述無機材料中的一種或多種與上述有機材料中的一種或多種的組合形成。
例如，沿垂直於所述顯示基板1的方向截取圍堰30的截面，該截面的上邊寬度小於或等於底邊寬度，以利於後續形成的多個薄膜封裝層40緊密地覆蓋在OLED器件上而在薄膜封裝層40與OLED器件之間沒有間隙。進一步地，例如所述截面的形狀為上邊寬度小於底邊寬度的梯形或上邊寬度等於底邊寬度的矩形。
需要說明的是，“上邊”是所述截面的遠離所述顯示基板1的邊，而“底邊”是所述截面的靠近所述顯示基板1的邊。
進一步地，為了後續形成的多個薄膜封裝層40與圍堰30密切貼合，例如所述截面的形狀為非直角梯形，即所述截面的兩個側邊與所述顯示基板1所成的角度為銳角。
例如，圍堰30形成首尾相接的封閉環形，以圍繞顯示區域01，如圖6所示。然而，該發明的實施例不局限於此，圍堰30也可根據實際需要而設定為具有開口的環形。
繼續參見圖2至圖5，在形成圍堰30之後採用同一個掩模板（未示出）形成多個薄膜封裝層40，該多個薄膜封裝層40覆蓋OLED器件並將圍堰30包裹在內。例如，掩模板具有開口，在形成圍堰30之後將掩模板放置在顯示基板1上，通過例如電漿增強化學氣相沉積（plasma enhanced chemical vapor deposition，簡稱PECVD）依次形成多個薄膜封裝層薄膜，待沉積完畢之後將掩模板及位於掩模板的非開口區域之上的薄膜封裝層薄膜移除而得到覆蓋OLED器件並將圍堰30包裹在內的多個薄膜封裝層40。
例如，掩模板的開口大於或等於圍堰30的外周邊所圍成的區域，即掩模板的開口至少要覆蓋顯示基板的顯示區域以及圍堰30的外周邊到顯示區域之間的區域。當掩模板的開口等於圍堰30的外周邊所圍成的區域時，在將掩模板放置在顯示基板1上後掩模板的開口恰好露出整個圍堰30而不露出顯示基板1的位於圍堰30外側的表面，在此情形下，如圖2至圖4所示所形成的多層薄膜封裝層40的邊緣位於圍堰30的外側壁上，這增大了多層薄膜封裝層40的邊緣與OLED器件之間的距離，從而增大了空氣中的水汽和氧氣等從多層薄膜封裝層40的邊緣進入OLED器件的距離，延緩了水汽和氧氣等從多層薄膜封裝層40的邊緣進入OLED器件的時間。當掩模板的開口大於圍堰30的外周邊所圍成的區域時，在將掩模板放置在顯示基板1上後掩模板的開口露出整個圍堰30並進一步露出顯示基板1的位於圍堰30外側的部分表面，在此情形下，如圖5所示所形成的多層薄膜封裝層40的邊緣位於顯示基板1的位於圍堰30外側的表面上，這進一步增大了多層薄膜封裝層40的邊緣與OLED器件之間的距離，從而進一步增大了空氣中的水汽和氧氣等從多層薄膜封裝層40的邊緣進入OLED器件的距離，並進一步延緩了水汽和氧氣等從多層薄膜封裝層40的邊緣進入OLED器件的時間。需要說明的是，所述圍堰30的外周邊或外側均是指圍堰的遠離顯示區域的一邊或一側。
例如，圍堰30的外周邊圍成的區域為圍堰30的外側壁與顯示基板1的交線所圍成的區域。
例如，多個薄膜封裝層40包括交疊堆疊的多個無機薄膜封裝層41和多個有機薄膜封裝層42。在這裡，不對多層薄膜封裝層40的具體層數進行限制。例如，在兼顧阻水阻氧能力和輕薄化的情況下，可以形成2-20個薄膜封裝層40。例如，所述無機薄膜封裝層41的厚度為5-20納米，所述有機薄膜封裝層42的厚度為5納米-20納米。需要說明的是，多層薄膜封裝層40可採用任何已知的材料和方法形成，該發明的實施例對此不進行限定。
參見圖2，圍堰30形成在像素界定層21上。在此情形下，為了簡化工藝，圍堰30可以與像素界定層21一體形成。需要說明的是，“圍堰30與像素界定層21一體形成”是指圍堰30與像素界定層21通過同一材料層並通過同一構圖工藝同時形成。
參見圖3，圍堰30形成在平坦化層19上，像素界定層21將圍堰30包裹在內，多層薄膜封裝層40將像素界定層21包裹在內，這進一步增大了多層薄膜封裝層40的邊緣與OLED器件之間的距離。在此情形下，為了簡化工藝，圍堰30可以與平坦化層19一體形成。相似地，“圍堰30與平坦化層19一體形成”是指圍堰30與平坦化層19通過同一材料層並通過同一構圖工藝同時形成。
參見圖4，圍堰30形成在鈍化層18上，平坦化層19和像素界定層21依次將圍堰30包裹在內，多層薄膜封裝層40將像素界定層21包裹在內，這進一步增大了多層薄膜封裝層40的邊緣與OLED器件之間的距離。在此情形下，為了簡化工藝，圍堰30可以與鈍化層18一體形成。相似地，“圍堰30與鈍化層18一體形成”是指圍堰30與鈍化層18通過同一材料層並通過同一構圖工藝同時形成。
如圖5所示，多個薄膜封裝層40的邊緣位於顯示基板1的位於圍堰30外側的表面上。在此情形下，儘管如圖5所示圍堰30形成在像素界定層21上，但是圍堰30也可與圖3或圖4相似地形成在平坦化層19或鈍化層18上。
在根據該發明實施例的OLED顯示裝置的封裝方法中，在顯示基板1的周邊區域形成圍堰；並且採用同一個掩模板，在顯示基板上形成多個薄膜封裝層，所述多個薄膜封裝層將所述圍堰包裹在內。由於在顯示基板的周邊區域形成了圍堰，因而可以通過同一個掩模板在顯示基板上形成多個薄膜封裝層，簡化了薄膜封裝工藝並降低了薄膜封裝的成本。另外，由於在顯示基板的周邊區域形成了圍堰，多層薄膜封裝層的邊緣位於圍堰的外側壁上或者位於顯示基板的位於圍堰外側的表面上，增大了多層薄膜封裝層的邊緣與OLED器件之間的距離，從而增大了空氣中的水汽和氧氣等從多層薄膜封裝層的邊緣進入OLED器件的距離，延緩了水汽和氧氣等從多層薄膜封裝層的邊緣進入OLED器件的時間，延長了OLED器件及OLED顯示裝置的壽命。
根據該發明的實施例，還提供一種OLED顯示裝置。該OLED顯示裝置包括：顯示基板1，所述顯示基板1具有顯示區域01及位於所述顯示區域01外側的周邊區域02；圍堰30，形成在所述顯示基板1的周邊區域02中；以及多層封裝層40，形成在所述顯示基板1上並將將所述圍堰30包裹在內。在該OLED顯示裝置中，所述多個薄膜封裝層40的邊緣位於所述圍堰30的外側壁上，或者所述多個薄膜封裝層40的邊緣位於所述顯示基板1的位於所述圍堰30外側的表面上。該OLED顯示裝置的具體結構及其技術效果可以參見上面的描述，在此不在贅述。
註：以上所述僅是《OLED顯示裝置及其封裝方法》的示範性實施例，而非用於限制該發明的保護範圍，該發明的保護範圍由權利要求確定。
專利榮譽
2021年6月24日，《OLED顯示裝置及其封裝方法》獲得第二十二屆中國專利銀獎。
