NPN電晶體是電晶體的一種，當基極b點電位高於發射極e點電位零點幾伏時，發射結處於正偏狀態，而集電極C點電位高於b點電位幾伏時，集電結處於反偏狀態，集電極電源Ec要高於基極電源Ebo。
基本介紹
- 中文名：NPN型電晶體
- 外文名：NPN transistor
- 學科：電子技術
- 領域：工程技術
簡介,NPN型電晶體的電路符號,製造工藝設計,
簡介
NPN型電晶體，由三塊半導體構成，其中兩塊N型和一塊P型半導體組成，P型半導體在中間，兩塊N型半導體在兩側。NPN型電晶體是電子電路中最重要的器件之一，它最主要的功能是電流放大和開關作用。
NPN型電晶體的電路符號
NPN型電晶體的電路符號製造工藝設計
1.首先在ATHENA中定義0.8um*1.0um的矽區域作為基底，摻雜為均勻的砷雜質，濃度為2.0e16/cm3，然後在基底上注入能量為18ev，濃度為4.5e15/cm3的摻雜雜質硼，退火，澱積一層厚度為0.3um的多晶矽，澱積過後，馬上進行多晶矽摻雜，摻雜為能量50ev，濃度7.5e15/cm3的砷雜質，接著進行多晶矽柵的刻蝕（刻蝕位置在0.2um處）此時形成N++型雜質（發射區）。刻蝕後進行多晶氧化，由於氧化是在一個圖形化（即非平面）以及沒有損傷的多晶上進行的，所以使用的模型將會是fermi以及compress，進行氧化工藝步驟時分別在乾氧和氮的氣氛下進行退火，接著進行離子注入，注入能量18ev，濃度2.5e13/cm3的雜質硼，隨後進行側牆氧化層澱積並進行刻蝕，再一次注入硼，能量30ev，濃度1.0e15/cm3，形成P+雜質（基區）並作一次鏡像處理即可形成完整NPN結構，最後澱積鋁電極。
2.三次注入硼的目的
第一次硼注入形成本徵基區;第二次硼注入自對準(self-aligned)於多晶矽發射區以形成一個連線本徵基區和 p+ 基極接觸的 connection.多晶發射極旁的側牆(spacer-like)結構用來隔開p+ 基極接觸和提供自對準.在模擬過程中，relax 語句是用來減小結構深處的格線密度，從而只需模擬器件的一半；第三次硼注入，形成p+基區。
3.遇到的問題
經常遇到這樣一種情況：一個格線可用於工藝模擬，但如果用於器件模擬效果卻不甚理想。在這種情況下，可以用格線產生工具DEVEDIT用來重建格線，從而以實現整個半導體區域內無鈍角三角形。
