《MeV原子微團束與物質相互作用研究》是江棟興為項目負責人，北京大學為依託單位的面上項目。
基本介紹
- 中文名：MeV原子微團束與物質相互作用研究
- 項目類別：面上項目
- 項目負責人 ：江棟興
- 依託單位 ：北京大學
- 批准號：19775006
- 研究期限：1998-01-01至2000-12-31
- 申請代碼：A3010
- 支持經費：4（萬元）
- 負責人職稱：教授
項目摘要
利用加速器引出的MeV能區小尺寸團簇本課題完成了它們在固體介質中的能量損失測量和在Si單晶中引起損傷機制的研究。由於發展了新的實驗裝置和方法，清楚的觀察到Si2，3團簇離子在C膜中能量損失與相同單原子能量的原子離子相比具有明顯的增強效應。這種效應主要發生在C膜的近表面薄層（≤10nm）內，隨薄層厚度增加，該效應迅速減弱直至完全消失。Si2，3團簇離子在Si單晶中產生輻照損傷的實驗結果與由重離子引起損傷的機制不同，在明顯低於電子阻止在領閾值（28keV/nm）時，由電子阻止引起的損傷不能忽略。考慮到團簇離子在Si單晶近表面薄層中產生很高的電子能損的能量密度，局P溫度升高產生的退火效應可以定性地解釋本研究課題觀測到的實驗結果。
