MOCVD是在氣相外延生長(VPE)的基礎上發展起來的一種新型氣相外延生長技術。
MOCVD是以Ⅲ族、Ⅱ族元素的有機化合物和V、Ⅵ族元素的氫化物等作為晶體生長源材料,以熱分解反應方式在襯底上進行氣相外延,生長各種Ⅲ-V主族、Ⅱ-Ⅵ副族化合物半導體以及它們的多元固溶體的薄層單晶材料。
基本介紹
- 中文名:MOCVD
- 定義:氣相外延生長(VPE)的基礎上發展
- 全稱:金屬有機化合物化學氣相沉澱
- 性質:易燃、易爆、毒性很大
MOCVD是在氣相外延生長(VPE)的基礎上發展起來的一種新型氣相外延生長技術。
MOCVD是以Ⅲ族、Ⅱ族元素的有機化合物和V、Ⅵ族元素的氫化物等作為晶體生長源材料,以熱分解反應方式在襯底上進行氣相外延,生長各種Ⅲ-V主族、Ⅱ-Ⅵ副族化合物半導體以及它們的多元固溶體的薄層單晶材料。
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