《InGaN量子阱的離子注入及其在白光LED中的套用》是依託武漢大學，由孟憲權擔任項目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名：InGaN量子阱的離子注入及其在白光LED中的套用
- 項目類別：面上項目
- 項目負責人：孟憲權
- 依託單位：武漢大學
項目摘要,結題摘要,
項目摘要
半導體白光發光二極體（白光LED）作為照明的新型高效固體光源，是人類照明史上又一次飛躍，經濟和社會意義巨大。本項目首次提出以量子阱+摻雜離子的組合為發光基本單元，利用量子阱中高密度載流子來提高摻雜離子的激發及發光效率,製備無螢光粉白光LED。具體研究內容為：在InGaN量子阱中及阱外GaN膜中分別注入釤（Sm）、鉻（Cr）、銪（Eu）、鐠（Pr）、鉺（Er）等離子及退火研究；量子阱中高密度載流子與摻雜離子之間的電荷及能量傳輸機制研究；量子阱+摻雜離子基本單元在特定波長的光激發下的發光效率研究；在藍光LED激發下，量子阱+摻雜離子基本單元發射紅光、綠光與LED發射藍光混合成為白光的研究；無螢光粉的白光LED製備的研究。本項目結合了半導體帶間發光及固體材料中離子發光的優點，提出了兩種新穎無螢光粉LED結構，為無螢光粉白光LED及寬光譜固體發光器件製備研究提供了一條新的可能途徑。
結題摘要
半導體白光發光二極體（白光 LED）作為照明的新型高效固體光源，經濟和社會意義巨大。本項目進行了白光LED晶片的探索性研究。在GaN外延層和InGaN量子阱及阱附近的GaN中分別注入銪（Eu）、釤（Sm）、鋱（Tb）稀土離子及鉻（Cr）過渡金屬離子並退火研究；InGaN量子阱與注入離子之間電荷、能量傳輸的相關理論研究；基於雙系列InGaN/GaN量子阱藍光發射LED結構的結構及光學性質研究；做為LED螢光粉的CdSe與CdSe/ZnS量子點的合成及其稀土摻雜研究，GaN及CdS一維納米材料製備及器件研究。成功製備了高效紅光發射GaN：Eu材料及綠光發射材料；製備了CdSe/ZnS核殼結構量子點螢光材料和InGaN/GaN雙系列量子阱藍光發射LED晶片；製備了GaN納米線和CdS納米管及其紫外探測器。
