《InAs量子點/ZnO納米柱異質結的製備及光探測性能研究》是依託哈爾濱工業大學，由矯淑傑擔任項目負責人的青年科學基金項目。
基本介紹
- 中文名：InAs量子點/ZnO納米柱異質結的製備及光探測性能研究
- 依託單位：哈爾濱工業大學
- 項目類別：青年科學基金項目
- 項目負責人：矯淑傑
項目摘要,結題摘要,
項目摘要
半導體納米材料在光電領域的套用一直是國際上的研究熱點。本課題正是基於這樣一個著眼點，以光探測器為套用背景，提出採用InAs量子點/ZnO納米柱陣列異質結獲得室溫多波段的光回響。本課題基於二者形成II型能帶，有效分離光生電子和空穴，除可獲得來自於ZnO納米柱和InAs量子點帶間吸收的紫外和可見波段光回響外，還可通過高能入射光子導致的多激子產生效應(MEG)提高光探測率並將探測擴展至紫外或深紫外波段。本課題研究ZnO納米柱陣列的尺寸、密度和生長機制；掌握InAs量子點尺寸控制技術，研究InAs量子點尺寸和能帶的依賴關係，滿足II型能帶的要求；研究InAs量子點/ZnO納米柱陣列異質結的多光譜回響；研究器件結構、材料性質與器件性能的關係，研究載流子注入機制及複合機制與器件結構的關係；研究InAs量子點MEG效應閾值條件，提高器件探測效率；探索提高光回響度、降低暗電流的物理方法和技術手段。
結題摘要
本項目的研究目標主要是針對紫外-紅外雙色和多光譜探測的需求，開展的以寬頻隙半導體ZnO為主體，以窄帶隙半導體的量子點修飾，由於二者能帶的巨大差距，形成II型異質結。主要研究內容包括ZnO納米材料的製備工藝及生長機制和光電性質；量子點的製備及生長機制及光電特性；異質結探測器的製備及性能研究。通過改變鋅源種類獲得了形貌可控的ZnO納米材料；製備了量子點材料，實現了量子點的尺寸和分布的可控性；製備了異質結探測器，通過調控量子點與納米線的界面，可獲得寬光譜的探測性能。通過二者界面的調控，拓展了光譜範圍，為實現多光譜和寬光譜探測提供了新途徑。
