《III--V族化合物混晶材料的低溫壓力光譜和瞬態過程研究》是依託廈門大學，由鄭健生擔任項目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名：III--V族化合物混晶材料的低溫壓力光譜和瞬態過程研究
- 項目類別：面上項目
- 項目負責人：鄭健生
- 依託單位：廈門大學
- 批准號：69376035
- 申請代碼：F0405
- 負責人職稱：教授
- 研究期限：1994-01-01 至 1996-12-31
- 支持經費：5（萬元）
項目摘要
採用變溫，選擇激發和可調壓力的光致發光譜和發光瞬態過程分析，研究了混晶GaAs1-xPx：N中Nx束縛激子的壓力行為和發光瞬態過程。闡明在流體靜壓力和低激發密度下，發生Nx中心到NNi中心激子熱激活轉移過程的機制分別是多重陷入和變程跳躍。首次在GaAs1-xPx：N中觀察到Nx發光的多聲子重現光譜和NN1束縛激子發光的精細聲子伴線。在混晶GaAs1-xPx：N中進一步驗證了黃昆的多聲子光躍遷理論，發現在混晶GaAs1-xPx：N中Nx帶記憶體在著快速的激子隧穿過程（～50ps），激子遷移率邊具有時間尺度上的意義，在組分X～0.4的GaAs1-xPx：N中，判明與N雜質有關的Nx帶來自N束縛激子的發光，而NΓ帶來自孤立N束縛激子分子的發光。
