《II-VI族半導體異質結構的液相組裝及光電轉換性能研究》是依託山東大學，由占金華擔任項目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名：II-VI族半導體異質結構的液相組裝及光電轉換性能研究
- 項目類別：面上項目
- 項目負責人：占金華
- 依託單位：山東大學
中文摘要,結題摘要,
中文摘要
II-VI族化合物CdS、CdSe、CdTe 都為直隙半導體，禁頻寬度分別為2.42、1.74、1.45 eV，幾乎涵蓋了太陽光的可見光波段。該課題的主要研究目標是發展廉價靈活的化學液相技術將具有能量勢壘的II-VI族化合物半導體組裝在單一一維納米結構材料，並將這樣的納米異質結集成為具有三維結構特徵的光電轉換功能器件，探索三維II-VI半導體納米異質結材料作為製造廉價高效光電池的基礎研究。創新之處在於這種基於納米棒陣列的三維交叉異質結光電池通過高度結構化的納米結構吸收入射光線，並在納米異質結的界面經過多次反射與吸收，光吸收率得到很的提高。此外，同二維面式光電池比較，這種三維異質結光電池內的光生載流子的擴散路程要短很多，從而大大減少了載流子在內部傳輸的複合。因此基於納米棒陣列的三維交叉異質結光電池將可提高吸收率以及載流子的收集率，本項目研究的開展將可進一步促進廉價高效光電池的開發。
結題摘要
該課題的主要研究目標是發展廉價靈活的化學液相技術將具有能量勢壘的II-VI族化合物半導體組裝在單一納米結構材料內，並將這樣的納米異質結集成為三維結構特徵的光電轉換功能器件，探索三維II-VI半導體納米異質結材料作為製造廉價高效光電池的基礎研究。我們取得的主要成果包括：一、實現了透明導電玻璃基底上取向生長的ZnO納米棒，FTO基底上高比表面積的ZnO多孔納米片陣列的控制合成，並同時在柔性Zn片上原位合成了單晶ZnO多孔納米片結構；二、實現了陽離子無序的立方AgInS2納米顆粒，能帶結構可調節的Cd1-xZnxS、CdSexTe1-x合金納米顆粒，禁頻寬度可調的(Cu2Sn)x/3Zn1-xS納米顆粒的化學液相合成；三、控制CdX(X = Te、Se、S)等光吸收半導體材料在氧化物半導體納米棒陣列結構表面的生長，得到結構均一的納米異質結，這些結構都在納米半導體異質結太陽能電池方面具備套用價值。
