ICP光源中基體干擾機理研究──套用CCD成象光譜儀

ICP光源中基體干擾機理研究──套用CCD成象光譜儀

《ICP光源中基體干擾機理研究──套用CCD成象光譜儀》是依託中山大學,由張展霞擔任項目負責人的面上項目。

基本介紹

  • 中文名:ICP光源中基體干擾機理研究──套用CCD成象光譜儀
  • 項目類別:面上項目
  • 項目負責人:張展霞
  • 依託單位:中山大學
  • 批准號:29275225
  • 申請代碼:B0403
  • 負責人職稱:教授
  • 研究期限:1993-01-01 至 1995-12-31
  • 支持經費:5.5(萬元)
中文摘要
在國內首次報導了用CCD成象光譜技術作工CP光源中基體干擾研究。自裝了色散選通複合成象CCD光譜儀,成象質量好,圖象空間解析度高,建立了一套計算機實時圖象集和圖象處理軟體,該軟體未見有人報導過,研究了不同基體對Ca離子線所產生的基體效應的橫向、垂直方向和整個空間位置的分布規律、發現了不同基體所產生的抑制程度與基體的第一電離電位有近似線性關係,第一電離電位越小的基體產生的效應越大,實驗證明由於ICP空間分布不一,不能只用一種干擾機理來說明干擾效應,提出了易電離元素與環形區的高能量耦合引起增感和未蒸發和基體粒子引起抑制兩種機理,在較低觀察區,第一機制為主,在其餘觀察區,第二機制是主要的。

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