《GaN基稀磁半導體量子點的自組織生長與特性》是依託大連理工大學,由秦福文擔任項目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名：GaN基稀磁半導體量子點的自組織生長與特性
- 依託單位：大連理工大學
- 項目類別：面上項目
- 項目負責人：秦福文
- 批准號：60476008
- 申請代碼：F0401
- 負責人職稱：副教授
- 研究期限：2005-01-01 至 2007-12-31
- 支持經費：24（萬元）
項目摘要
稀磁半導體（DMS）具有一系列不同於常規半導體的磁學、光學和電學特性，例如：巨磁光效應和巨負磁阻效應等。因而，對DMS的研究不僅對自旋電子學理論的發展，而且對未來自旋電子器件，如高密度存儲、磁場探測器、光隔離器件、半導體雷射器積體電路及量子計算機等的套用具有重要意義。新近的理論和實驗研究都表明(Ga,Mn)N薄膜在室溫下可獲得鐵磁性，這非常有利於實際套用。該項目在GaN薄膜及量子點結構材料多年相關研究的基礎上，提出並採用ECR-PEMOCVD方法低溫自組織生長摻錳GaN基DMS量子點結構，探討其形成機理；研究電漿及製備工藝對DMS量子點結構室溫下的磁學、光學和電學特性的影響及作用機理；採用在真空或電漿氣氛下的退火研究可能存在的錳離子激活問題，實現高濃度磁性雜的激活，研究在室溫下具有磁性的量子結構的生長與特性。為納米結構中自旋電子學的發展及新一代量子器件的研究打下基礎。
