《GaN基異質結構中二維電子氣的自旋性質研究》是依託北京大學，由唐寧擔任負責人的青年科學基金項目。
基本介紹
- 中文名：GaN基異質結構中二維電子氣的自旋性質研究
- 項目負責人：唐寧
- 項目類別：青年科學基金項目
- 依託單位：北京大學
- 負責人職稱：研究員
- 批准號：60806042
- 研究期限：2009-01-01 至 2011-12-31
- 申請代碼：F0408
- 支持經費：24（萬元）
項目摘要
屬於高能帶階躍、強極化半導體低維體系的GaN基異質結構不僅在高頻、高溫、高功率電子器件領域具有重大套用，而且由於它有很長的自旋馳豫時間和很高的居里溫度，在自旋電晶體方面也有很好的套用前景。本申請項目以發展GaN基半導體自旋電晶體器件、探索GaN基異質結構中二維電子氣(2DEG)自旋規律為目標，以強磁場、超低溫磁阻測量為主要手段，開展GaN基異質結構中2DEG的自旋性質研究，主要內容包括：高質量GaN基異質結構材料的MOCVD生長、2DEG自旋注入、2DEG的自旋分裂和自旋的各向異性、非平衡態下2DEG的自旋性質和GaN基自旋器件的部分研製工藝等。本項目申請人及其所在的課題組近年來一直從事GaN基異質結構和2DEG相關物性研究，取得了一批富有特色的研究成果並積累了經驗。本項目的研究目標和內容均處於當前國際上半導體低維物理和寬禁帶半導體材料、器件研究的前沿領域。
