《GaN中氫、碳和氧的行為和作用》是依託北京大學，由秦國剛擔任負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名：GaN中氫、碳和氧的行為和作用
- 項目負責人：秦國剛
- 項目類別：面上項目
- 依託單位：北京大學
- 負責人職稱：教授
- 批准號：60076003
- 申請代碼：F0401
- 研究期限：2001-01-01 至 2003-12-31
- 支持經費：20（萬元）
項目摘要
氮化鎵由於其重要套用價值和巨大發展潛力被認為是最有發展前途的化合物半導體。氫，碳和氧在氮化鎵生長過程中不可避免地要引入，對氮化鎵材料質量和器件性能有重要又複雜影響。目前對這些雜質的認識還很不充分。本申請擬採用摻入同位素、高能粒子輻照和綜合多種實驗手段等方法深入研究GaN中的氫、碳和氧的局域振動模、深能級和其它獨特行為。
