GFET,石墨烯場效應電晶體。
基本介紹
- 中文名:石墨烯場效應電晶體
- 外文名:Graphene Field Effect Transistor
- 縮寫:GFET
- 解釋:以石墨烯作為導電溝道
GFET,石墨烯場效應電晶體。
GFET,石墨烯場效應電晶體。在真空微電子器件的研製過程中,幾年來因受到器件壽命、工作電壓等因素的困擾,致使此項研究在相當的一段時間內停步不前。為獲得穩定的發射和長壽命工作,一般說來,器件仍需工作在較高的電壓、較高的真空...
室溫工作HSGFET高靈敏度03感測器的研究 室溫工作HSGFET高靈敏度03感測器的研究是由南開大學信息技術科學學院完成的科技成果,登記於2002年12月30日。成果信息 成果完成人 牛文成;孫學珠;張福海;俞梅;張玉英;稱興梧;楊延娥;李德林 合作單位 天津大學
《室溫工作HSGFET型高靈敏O3感測器的研究》是依託南開大學,由牛文成擔任項目負責人的面上項目。中文摘要 利用氣敏場效應和敏感膜與O3作用而引起的功函式變化,研究室溫下對O3具有高靈敏回響的HSGFET(HybirdsuspendedgateFET)型O3感測器。重點研究不同敏感膜在O3和其它干擾氣體中所引起的功函式變化,感測器空氣隙厚度,...
《基於器件物理的射頻石墨烯場效應管集約模型研究》是依託武漢大學,由常勝擔任項目負責人的青年科學基金項目。項目摘要 石墨烯場效應管(GFET)作為新型納米電子器件在射頻領域有廣泛的套用前景。其製備和材料物性分析已火熱展開,但對器件的工作機理及可用於電路設計的集約模型的研究尚十分缺乏。.本項目擬從器件物理出發...
1.3.1 GFET結構與基本特性 1.3.2 GFET發展現狀 1.3.3 GFET在射頻領域的套用介紹 1.4 石墨烯光電探測器 1.4.1 GPD基本結構與特性 1.4.2 GPD發展現狀 1.4.3 GPD潛在套用 1.5 石墨烯器件製作工藝 1.5.1 石墨烯轉移技術 1.5.2 石墨烯圖形化 1.5.3 石墨烯電連線 1....