《CdZnTe半導體輻照缺陷的正電子湮沒研究》是依託清華大學，由何元金擔任項目負責人的聯合基金項目。
基本介紹
- 中文名：CdZnTe半導體輻照缺陷的正電子湮沒研究
- 依託單位：清華大學
- 項目負責人：何元金
- 項目類別：聯合基金項目
- 支持經費：20（萬元）
- 研究期限：2004-01-01 至 2006-12-31
- 負責人職稱：教授
- 申請代碼：A31
- 批准號：10376017
項目摘要
CdZnTe是最有發展前途的室溫半導體X,gamma射線探測器之一，目前套用中存在的主要障礙是難以製備大體積優質單晶，晶體缺陷造成的材料遷移率壽命乘積降低，使探測器性能變壞；另外尚缺乏材料抗輻照損傷能力的實驗數據和綜合評價。本項目用正電子湮沒技術對CdZnTe晶體輻照缺陷進行深入研究。精確測量輻照前後的正電子湮沒壽命譜；通過控制工藝，有意識地引入一系列不同濃度的空位型缺陷，研究其正電子湮沒譜特徵；
