《CMOS兼容的電容式氣壓感測器的設計與工藝研究》是依託東南大學，由聶萌擔任項目負責人的青年科學基金項目。
基本介紹
- 中文名：CMOS兼容的電容式氣壓感測器的設計與工藝研究
- 項目類別：青年科學基金項目
- 項目負責人：聶萌
- 依託單位：東南大學
中文摘要,結題摘要,
中文摘要
氣壓感測器是氣象參數檢測的主要器件之一。由於微機電系統(MEMS)技術的進步，基於MEMS的氣壓計是近年該領域的主要方向之一。本項目將基於標準CMOS工藝，創新性地利用CMOS積體電路工藝中的N阱作為電容式壓力感測器下電極、CMOS工藝中金屬引線層作為上電極，從而使上下極板的引線容易實現。通過工藝設計、結構設計和氣壓感測器的套用基礎研究，設計出CMOS工藝兼容的氣壓感測器；對CMOS正面氧化層釋放腐蝕、CMOS結構N阱的PN結自停止腐蝕和帶有CMOS晶片封閉腔的靜電鍵合工藝進行研究，研製出主要性能符合要求的氣壓感測器原理樣品。.本項目的研究結果，將有助於利用標準CMOS工藝，有利於氣壓感測器與處理電路的單片集成，降低氣壓感測器的成本。
結題摘要
氣壓感測器是氣象參數檢測的主要器件之一。由於微機電系統(MEMS)技術的進步，基於MEMS的氣壓計是近年該領域的主要方向之一。本項目基於標準CMOS工藝，創新性的設計了三種與CMOS工藝兼容的氣壓感測器結構：單電容式壓力感測器，基於霍爾效應的壓力感測器，並聯式電容壓力感測器，並分別進行了工藝設計，解決須與CMOS工藝兼容的相關MEMS後處理單項工藝問題，對CMOS結構正面氧化層釋放腐蝕、CMOS結構N阱的PN結自停止腐蝕和帶有CMOS晶片封閉腔的靜電鍵合工藝進行研究，使其達到可以利用CMOS標準工藝結合MEMS後處理工藝實現，並進行了流片測試，測試結果表明氣壓感測器樣品性能良好。 本項目的研究結果，將有助於利用標準CMOS工藝實現MEMS氣壓感測器與處理電路的單片集成，降低氣壓感測器的成本，為下一步工程套用奠定了基礎。
